Ziel
The problem of the uniformity and reproducibility of GaInAsP (1.3 micron wavelength) epitaxial layers suitable for optoelectronics devices was addressed using LP-MOCVD growth process on 2" InP substrates.
The problem of the uniformity and reproducibility of gallium indium arsenic phosphide (1.3 micron wavelength) epitaxial layers suitable for optoelectronics devices has been addressed using low pressure metal organic chemical vapour deposition (LP-MOCVD) growth process on inch indium phosphide substrates. The work on materials has been supported by extensive material characterization. In particular, the homogeneity of both substrates and epilayers has been measured nondestructively using spatially resolved photoluminescence. Ultimate validation of the material has been provided by gallium indium arsenic phosphide optical waveguide and gallium indium arsenide metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFET) devices.
A statistical analysis of the losses of waveguides distributed over a whole 2 inch wafer has demonstrated that more than 60% of the waveguides exhibit losses below 0.8 dB Gallium indium arsenide, which was the target in this project. Besides, the distribution of the waveguide losses has been correlated with the bandgap wavelength variation over the 2 inch wafer. The electrical properties of gallium indium arsenide epitaxial layers (ie the sheet resistance, external transconductance and the effective mobility) were found to be quite homogeneous over the 2 inch wafer.
Gallium indium arsenide MISFET with 1.5 micron gate length exhibited a cut off frequency of 16 GHz and a maximum oscillation frequency of 14 GHz. The MISFET showed a response time of 70 ps. However, due to the shift in the transfer characteristic of the inverters, no oscillation of the ring oscillator circuits could be recorded.
The project has demonstrated that high quality (both optical and electrical) uniform gallium indium arsenide phosphide epitaxial layers can be obtained reproducibly on 2 inch indium phosphide substrates using a commercially available LP-MOCVD growth process.
The work on materials has been supported by extensive material characterisation. In particular, the homogeneity of both substrates and epilayers has been measured non-destructively using spatially resolved photoluminescence. Ultimate validation of the material has been provided by GaInAsP optical waveguide and GaInAs MISFET devices.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
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- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Optoelektronik
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Nachübergangsmetalle
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
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Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
94453 Limeil-Brevannes
Frankreich
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.