Objectif
The problem of the uniformity and reproducibility of GaInAsP (1.3 micron wavelength) epitaxial layers suitable for optoelectronics devices was addressed using LP-MOCVD growth process on 2" InP substrates.
The problem of the uniformity and reproducibility of gallium indium arsenic phosphide (1.3 micron wavelength) epitaxial layers suitable for optoelectronics devices has been addressed using low pressure metal organic chemical vapour deposition (LP-MOCVD) growth process on inch indium phosphide substrates. The work on materials has been supported by extensive material characterization. In particular, the homogeneity of both substrates and epilayers has been measured nondestructively using spatially resolved photoluminescence. Ultimate validation of the material has been provided by gallium indium arsenic phosphide optical waveguide and gallium indium arsenide metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFET) devices.
A statistical analysis of the losses of waveguides distributed over a whole 2 inch wafer has demonstrated that more than 60% of the waveguides exhibit losses below 0.8 dB Gallium indium arsenide, which was the target in this project. Besides, the distribution of the waveguide losses has been correlated with the bandgap wavelength variation over the 2 inch wafer. The electrical properties of gallium indium arsenide epitaxial layers (ie the sheet resistance, external transconductance and the effective mobility) were found to be quite homogeneous over the 2 inch wafer.
Gallium indium arsenide MISFET with 1.5 micron gate length exhibited a cut off frequency of 16 GHz and a maximum oscillation frequency of 14 GHz. The MISFET showed a response time of 70 ps. However, due to the shift in the transfer characteristic of the inverters, no oscillation of the ring oscillator circuits could be recorded.
The project has demonstrated that high quality (both optical and electrical) uniform gallium indium arsenide phosphide epitaxial layers can be obtained reproducibly on 2 inch indium phosphide substrates using a commercially available LP-MOCVD growth process.
The work on materials has been supported by extensive material characterisation. In particular, the homogeneity of both substrates and epilayers has been measured non-destructively using spatially resolved photoluminescence. Ultimate validation of the material has been provided by GaInAsP optical waveguide and GaInAs MISFET devices.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique optoélectronique
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal pauvre
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Données non disponibles
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Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Données non disponibles
Coordinateur
94453 Limeil-Brevannes
France
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.