Cel
The problem of the uniformity and reproducibility of GaInAsP (1.3 micron wavelength) epitaxial layers suitable for optoelectronics devices was addressed using LP-MOCVD growth process on 2" InP substrates.
The problem of the uniformity and reproducibility of gallium indium arsenic phosphide (1.3 micron wavelength) epitaxial layers suitable for optoelectronics devices has been addressed using low pressure metal organic chemical vapour deposition (LP-MOCVD) growth process on inch indium phosphide substrates. The work on materials has been supported by extensive material characterization. In particular, the homogeneity of both substrates and epilayers has been measured nondestructively using spatially resolved photoluminescence. Ultimate validation of the material has been provided by gallium indium arsenic phosphide optical waveguide and gallium indium arsenide metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFET) devices.
A statistical analysis of the losses of waveguides distributed over a whole 2 inch wafer has demonstrated that more than 60% of the waveguides exhibit losses below 0.8 dB Gallium indium arsenide, which was the target in this project. Besides, the distribution of the waveguide losses has been correlated with the bandgap wavelength variation over the 2 inch wafer. The electrical properties of gallium indium arsenide epitaxial layers (ie the sheet resistance, external transconductance and the effective mobility) were found to be quite homogeneous over the 2 inch wafer.
Gallium indium arsenide MISFET with 1.5 micron gate length exhibited a cut off frequency of 16 GHz and a maximum oscillation frequency of 14 GHz. The MISFET showed a response time of 70 ps. However, due to the shift in the transfer characteristic of the inverters, no oscillation of the ring oscillator circuits could be recorded.
The project has demonstrated that high quality (both optical and electrical) uniform gallium indium arsenide phosphide epitaxial layers can be obtained reproducibly on 2 inch indium phosphide substrates using a commercially available LP-MOCVD growth process.
The work on materials has been supported by extensive material characterisation. In particular, the homogeneity of both substrates and epilayers has been measured non-destructively using spatially resolved photoluminescence. Ultimate validation of the material has been provided by GaInAsP optical waveguide and GaInAs MISFET devices.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika optoelektronika
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metale nieszlachetne
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Brak dostępnych danych
Koordynator
94453 Limeil-Brevannes
Francja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.