Objetivo
For several decades, silicon semiconductor devices have been scaled down to achieve higher device density and performance. As a result, alternative gate oxides with high dielectric constant (high-k), which can prevent power dissipation resulting from direct quantum mechanical tunneling across the dielectric layer, will replace silicon dioxide which has been used as a gate dielectric in metal-oxide-semiconductor field effect transistors. Deposited hafnium oxide-based insulators are currently the most promising high-k materials for MOS device applications. However, it has been consistently observed that high-k based MOSFETs have problems such as reduced mobility of electronic carriers in the transistor channel, difficulty in setting the threshold voltage (Vth) for CMOS devices, Vth instability, and other device reliability problems. Further improvements require a fundamental understanding of these phenomena.
The second aim of this work is the study of Materials for High-Mobility-Channel MOS. Due to their superior properties such as high electron and hole mobility, Ge and III-V materials have been drawing much attention as a high-mobility-channel layer in the future MOS technology. However, there are some major issues that need to be solved to advance the development of high-mobility-channel MOS such as growth of good quality high k dielectric layer with low interface states
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
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- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de transición
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica dispositivo semiconductor
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metaloides
- ingeniería y tecnología nanotecnología nanoelectrónica
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
FP7-PEOPLE-2010-IOF
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Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Coordinador
08193 Cerdanyola Del Valles
España
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.