Objectif
For several decades, silicon semiconductor devices have been scaled down to achieve higher device density and performance. As a result, alternative gate oxides with high dielectric constant (high-k), which can prevent power dissipation resulting from direct quantum mechanical tunneling across the dielectric layer, will replace silicon dioxide which has been used as a gate dielectric in metal-oxide-semiconductor field effect transistors. Deposited hafnium oxide-based insulators are currently the most promising high-k materials for MOS device applications. However, it has been consistently observed that high-k based MOSFETs have problems such as reduced mobility of electronic carriers in the transistor channel, difficulty in setting the threshold voltage (Vth) for CMOS devices, Vth instability, and other device reliability problems. Further improvements require a fundamental understanding of these phenomena.
The second aim of this work is the study of Materials for High-Mobility-Channel MOS. Due to their superior properties such as high electron and hole mobility, Ge and III-V materials have been drawing much attention as a high-mobility-channel layer in the future MOS technology. However, there are some major issues that need to be solved to advance the development of high-mobility-channel MOS such as growth of good quality high k dielectric layer with low interface states
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal de transition
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
- ingénierie et technologie nanotechnologie nanoélectronique
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
FP7-PEOPLE-2010-IOF
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
08193 Cerdanyola Del Valles
Espagne
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.