Objectif
Ultra-low voltage/power operation is expected to be an important requirement for future nanoelectronics allowing more dense and fast circuits on one hand and enabling the operation of energy efficient intelligent autonomous systems on the other. In present day devices quite a lot of power is consumed during switching since it requires a minimum bias of 60 mV on the gate to overcome a potential barrier and increase the transistor current by a decade, a process which is fundamentally limited by thermal Boltzmann statistics. We propose the development of novel negative capacitance “smart” gates with a positive feedback and internal amplification to overcome the “Boltzmann tyranny” and obtain steeper slope “green” transistors capable of operating at very low voltage. Metallic systems with a low density of states could provide the required dominant negative contributions to the capacitance due to strong carrier correlation effects. Such metallic systems made of 2D Dirac fermions with linear dispersion bands are supported in graphene and on the surface of the newly discovered topological insulators having the very interesting property that they offer a nearly zero density of states at the band crossing near the charge neutral point. We propose here the graphene and Bi2Se3-based topological insulators as the key components of the targeted “smart” gates. We aim at developing complex gate structures facing the challenges of growth of high purity and high crystalline quality graphene and Bi2Se3 thin films in combination with conventional dielectrics and metals on Si semiconductor in an effort to obtain the required properties and ensure their robust functionality at room temperature. Possible negative capacitance effects will be investigated in terms of generic capacitor electrical characterization, while transistor devices with optimum smart gates will be fabricated to prove the principle of steep slope switching.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/fr/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
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- ingénierie et technologie nanotechnologie nanomatériaux nanostructures bidimensionnelles graphène
- sciences naturelles sciences physiques physique théorique physique des particules fermion
- ingénierie et technologie ingénierie des materiaux revêtement et films
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- ingénierie et technologie nanotechnologie nanoélectronique
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
ERC-2011-ADG_20110209
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Institution d’accueil
15 341 AGIA PARASKEVI
Grèce
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.