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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Contenido archivado el 2024-05-29

Planar ultraviolet radiation detectors based on GaN grown on silicon substrate with novel double oxide buffer layer

Objetivo

This proposal between the researcher dr Adam Szyszka, the Polish fellow, and dr Thomas Schroeder, the scientist in charge of the German host IHP institute in Frankfurt (Oder) concern on investigation and fabrication of gallium nitride planar UV radiation detectors grown on silicon substrate with use of novel double oxide buffer layer.
Gallium nitride and its ternary alloys with aluminium and indium have been recognized as a very important technological material system for fabricating optoelectronic, high frequency and high power devices. Because of the lack of large size GaN substrate different materials are used including silicon which advantages are low cost and large wafer size which allow mass production of devices. Many technological and research problems have to be solved to successful integration of gallium nitride on silicon. In IHP novel approach of application double oxide layer is developing.
Objectives of the project include: obtaining the quality of GaN layer on Si substrate with application of oxide layers which allow for optoelectronic device fabrication, investigation of the influence of layer growth parameters properties of the layer, design and fabrication of the prototypes of the detectors, measurements of the device parameters dependence on layer parameters and epitaxial process conditions.
Training objectives concern on enhancing technical competencies, command of foreign language improving and acquiring of complementary competencies (project management, multicultural communication, industry cooperation)
Coupling competencies of the candidate (device processing, electrical characterisation, physics of semiconductor) with attributes of host institute in its fields of expertise (advanced materials characterization methods, technology of Si integration, international cooperation) the effects of enhancing academic and complementary qualification of the candidate and increase of European Union research and innovation potential will be obtained.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

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Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

FP7-PEOPLE-2011-IEF
Consulte otros proyectos de esta convocatoria

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

MC-IEF - Intra-European Fellowships (IEF)

Coordinador

IHP GMBH - LEIBNIZ INSTITUTE FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS
Aportación de la UE
€ 104 619,00
Dirección
IM TECHNOLOGIEPARK 25
15236 Frankfurt Oder
Alemania

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Región
Brandenburg Brandenburg Frankfurt (Oder)
Tipo de actividad
Research Organisations
Enlaces
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

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