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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Contenido archivado el 2024-06-18

Fundamental understanding of novel materials integration in future CMOS

Objetivo

The Si-based Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor technologies (CMOS FET) are the foundation of the electronic industry. However, the continued scaling of the MOSFET device below the 45nm technology node (sub-20nm gate lengths, expected in production after 2007) will require fundamental changes in the CMOS processing and the introduction of new materials. It is notable however, that so far all the efforts of the industry to replace Si-SiO2 system with Si-High-k one have failed, pointing towards the fundamental issues of such replacement.

In addition, the roadmap requires an increase in device performance associated with extra improvement in mobility/transconductance for sub-25nm MOSFETs. Such performance increase should be as large as 100% for the smallest generations and can be achieved with alternative channel materials (e.g. Ge and most III-IV semiconductor compounds have inherent electrical advantages over Si, such as a higher electron mobility and/or breakdown voltage). There is a strong need exists to examine thoroughly the key parameters that will allow the introduction of such new materials in future CMOS devices. It is the purpose of this project to study in detail the fundamental possibilities for CMOS scaling provided by novel materials.

The work will be separated into the following sub-topics:
- Modeling of Semiconductor-Dielectric-Gate electrode interfaces in future FET devices
- Process and Device modeling of Alternative to Si channel materials compatible with Si CMOS processing
The fundamental understanding achieved on the basis of these studies will be used to demonstrate MOSFET devices in sub-25nm gate-length regime suitable for future CMOS integration activities.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

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Palabras clave

Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

FP6-2002-MOBILITY-3
Consulte otros proyectos de esta convocatoria

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

TOK - Marie Curie actions-Transfer of Knowledge

Coordinador

NXP SEMICONDUCTORS BELGIUM N.V.
Aportación de la UE
Sin datos
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

Sin datos

Participantes (1)

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