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Contenuto archiviato il 2024-06-18

Fundamental understanding of novel materials integration in future CMOS

Obiettivo

The Si-based Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor technologies (CMOS FET) are the foundation of the electronic industry. However, the continued scaling of the MOSFET device below the 45nm technology node (sub-20nm gate lengths, expected in production after 2007) will require fundamental changes in the CMOS processing and the introduction of new materials. It is notable however, that so far all the efforts of the industry to replace Si-SiO2 system with Si-High-k one have failed, pointing towards the fundamental issues of such replacement.

In addition, the roadmap requires an increase in device performance associated with extra improvement in mobility/transconductance for sub-25nm MOSFETs. Such performance increase should be as large as 100% for the smallest generations and can be achieved with alternative channel materials (e.g. Ge and most III-IV semiconductor compounds have inherent electrical advantages over Si, such as a higher electron mobility and/or breakdown voltage). There is a strong need exists to examine thoroughly the key parameters that will allow the introduction of such new materials in future CMOS devices. It is the purpose of this project to study in detail the fundamental possibilities for CMOS scaling provided by novel materials.

The work will be separated into the following sub-topics:
- Modeling of Semiconductor-Dielectric-Gate electrode interfaces in future FET devices
- Process and Device modeling of Alternative to Si channel materials compatible with Si CMOS processing
The fundamental understanding achieved on the basis of these studies will be used to demonstrate MOSFET devices in sub-25nm gate-length regime suitable for future CMOS integration activities.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Parole chiave

Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP6-2002-MOBILITY-3
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

TOK - Marie Curie actions-Transfer of Knowledge

Coordinatore

NXP SEMICONDUCTORS BELGIUM N.V.
Contributo UE
Nessun dato
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (1)

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