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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Contenu archivé le 2024-06-18

Fundamental understanding of novel materials integration in future CMOS

Objectif

The Si-based Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor technologies (CMOS FET) are the foundation of the electronic industry. However, the continued scaling of the MOSFET device below the 45nm technology node (sub-20nm gate lengths, expected in production after 2007) will require fundamental changes in the CMOS processing and the introduction of new materials. It is notable however, that so far all the efforts of the industry to replace Si-SiO2 system with Si-High-k one have failed, pointing towards the fundamental issues of such replacement.

In addition, the roadmap requires an increase in device performance associated with extra improvement in mobility/transconductance for sub-25nm MOSFETs. Such performance increase should be as large as 100% for the smallest generations and can be achieved with alternative channel materials (e.g. Ge and most III-IV semiconductor compounds have inherent electrical advantages over Si, such as a higher electron mobility and/or breakdown voltage). There is a strong need exists to examine thoroughly the key parameters that will allow the introduction of such new materials in future CMOS devices. It is the purpose of this project to study in detail the fundamental possibilities for CMOS scaling provided by novel materials.

The work will be separated into the following sub-topics:
- Modeling of Semiconductor-Dielectric-Gate electrode interfaces in future FET devices
- Process and Device modeling of Alternative to Si channel materials compatible with Si CMOS processing
The fundamental understanding achieved on the basis of these studies will be used to demonstrate MOSFET devices in sub-25nm gate-length regime suitable for future CMOS integration activities.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

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Mots‑clés

Les mots-clés du projet tels qu’indiqués par le coordinateur du projet. À ne pas confondre avec la taxonomie EuroSciVoc (champ scientifique).

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

FP6-2002-MOBILITY-3
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Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

TOK - Marie Curie actions-Transfer of Knowledge

Coordinateur

NXP SEMICONDUCTORS BELGIUM N.V.
Contribution de l’UE
Aucune donnée
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

Aucune donnée

Participants (1)

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