Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-06-18

Fundamental understanding of novel materials integration in future CMOS

Cel

The Si-based Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor technologies (CMOS FET) are the foundation of the electronic industry. However, the continued scaling of the MOSFET device below the 45nm technology node (sub-20nm gate lengths, expected in production after 2007) will require fundamental changes in the CMOS processing and the introduction of new materials. It is notable however, that so far all the efforts of the industry to replace Si-SiO2 system with Si-High-k one have failed, pointing towards the fundamental issues of such replacement.

In addition, the roadmap requires an increase in device performance associated with extra improvement in mobility/transconductance for sub-25nm MOSFETs. Such performance increase should be as large as 100% for the smallest generations and can be achieved with alternative channel materials (e.g. Ge and most III-IV semiconductor compounds have inherent electrical advantages over Si, such as a higher electron mobility and/or breakdown voltage). There is a strong need exists to examine thoroughly the key parameters that will allow the introduction of such new materials in future CMOS devices. It is the purpose of this project to study in detail the fundamental possibilities for CMOS scaling provided by novel materials.

The work will be separated into the following sub-topics:
- Modeling of Semiconductor-Dielectric-Gate electrode interfaces in future FET devices
- Process and Device modeling of Alternative to Si channel materials compatible with Si CMOS processing
The fundamental understanding achieved on the basis of these studies will be used to demonstrate MOSFET devices in sub-25nm gate-length regime suitable for future CMOS integration activities.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Słowa kluczowe

Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

FP6-2002-MOBILITY-3
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszenia

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

TOK - Marie Curie actions-Transfer of Knowledge

Koordynator

NXP SEMICONDUCTORS BELGIUM N.V.
Wkład UE
Brak danych
Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych

Uczestnicy (1)

Moja broszura 0 0