Description du projet
Very advanced nanoelectronic components: design, engineering, technology and manufacturability
Demonstration of the proof-of-concept of novel graphene-based electronic devices operating at terahertz (THz) frequencies
GRADE is a project focusing on advanced RTD activities necessary to demonstrate the proof-of-concept of novel graphene-based electronic devices operating at terahertz (THz) frequencies. We propose two different concepts with specific advantages. These are Graphene field effect transistors (GFET), that use graphene as a high-mobility transistor channel and the alternative "graphene base transistors" (GBT), that are novel hot-electron devices that use graphene sandwiched between two insulating layers, each in turn covered by a metal layer. Considering the unique high frequency characteristics of the GFET and the GBT, the consortium envisions innovative applications in communication, automotive, security and environmental monitoring. Low power wireless communication systems operating above 100Gbit/s or handheld portable THz sensor systems for detection of dangerous agents seem feasible with active devices operating in the THz regime. To be affordable for a broad range of consumers, THz devices must be scalable and integrated with silicon technology. GBTs and GFETs can fulfil this requirement. This project enables the demonstration and assessment of these novel device concepts for future THz systems, and prepares their transition to semiconductor manufacturing. The GRADE consortium consists of four academic partners, of which two have a strong experimental background and excellent processing facilities and one is focused on physics-based modelling and simulation and one specialized in compact modelling and circuit design; one research institute, which provides a professionally run pilot production clean room, state of the art processing and an entry point for graphene into manufacturing; and one global semiconductor manufacturer willing to push their capabilities to enable the fabrication of integrated graphene RF circuits, including the integration on SiC and co-integration with pre-fabricated CMOS wafers.\\n
GRADE is a three-year STREP proposal focused on advanced RTD activities necessary to demonstrate the proof-of-concept of novel graphene-based electronic devices operating at terahertz (THz) frequencies. We propose two different concepts with specific advantages. Graphene field effect transistors (GFET) use graphene as a high-mobility transistor channel. Alternative "graphene base transistors" (GBT) are novel hot-electron devices that use graphene sandwiched between two insulating layers, each in turn covered by a metal layer. Considering the unique high frequency characteristics of the GFET and the GBT, the consortium envisions innovative applications in communication, automotive, security and environmental monitoring. Low power wireless communication systems operating above 100Gbit/s or handheld portable THz sensor systems for detection of dangerous agents seem feasible with active devices operating in the THz regime. To be affordable for a broad range of consumers, THz devices must be scalable and integrated with silicon technology. GBTs and GFETs can fulfill this requirement. The proposed research enables the demonstration and assessment of these novel device concepts for future THz systems, and prepares their transition to semiconductor manufacturing.To achieve these goals, GRADE unites a powerful consortium:Four academic partners, two of them with a strong experimental background and excellent processing facilities, one focused on physics-based modelling and simulation and one specialized in compact modelling and circuit design.One research institute, which provides a professionally run pilot production clean room, state of the art processing and an entry point for graphene into manufacturing.One global semiconductor manufacturer willing to push their capabilities to enable the fabrication of integrated graphene RF circuits, including the integration on SiC and co-integration with pre-fabricated CMOS wafers.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
- ingénierie et technologie nanotechnologie nanomatériaux nanostructures bidimensionnelles graphène
- ingénierie et technologie génie électrique, génie électronique, génie de l’information ingénierie électronique capteurs
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
FP7-ICT-2011-8
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
57076 Siegen
Allemagne
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.