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Towards Low Power ICT

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

350K operating silicon nanowire single electron/hole transistors scaled down to 3.4nm diameter and 10nm gate length

Autori: Lavieville, R.; Barraud, S.; Corna, A.; Jehl, X.; Sanquer, M.; Vinet, M.
Pubblicato in: IEEE2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) 2015
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1109/ulis.2015.7063760; Microsoft Academic Graph Identifier:2022221770

Techniques for modulating error resilience in emerging multi-value technologies

Autori: Själander, Magnus; Borgström, Gustaf; Klymenko, Mykhailo V.; Remacle, Françoise; Kaxiras, Stefanos
Pubblicato in: ACMCrossref 2016
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1145/2903150.2903154; Microsoft Academic Graph Identifier:2342501093

An Exchange-Coupled Donor Molecule in Silicon

Autori: M. F. Gonzalez-Zalba; M. F. Gonzalez-Zalba; Dominik Heiss; Dominik Heiss; Andre Saraiva; Andre Saraiva; Belita Koiller; Maria J. Calderon; Andrew Ferguson
Pubblicato in: American Chemical Society (ACS)instname: 2014
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1021/nl5023942; Digital Object Identifier:10.48550/arxiv.1312.4589; PubMed ID:25230333; arXiv:http://arxiv.org/abs/1312.4589; Handle:10261/180962; Microsoft Academic Graph Identifier:3103588197; Microsoft Academic Graph Identifier:2026012959

Quantum dot ternary-valued full-adder: Logic synthesis by a multiobjective design optimization based on a genetic algorithm

Autori: Françoise Remacle; Mykhailo Klymenko
Pubblicato in: AIP PublishingCrossref 2014
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1063/1.4900995; Microsoft Academic Graph Identifier:2061736338

Electronic states and wavefunctions of diatomic donor molecular ions in silicon: multi-valley envelope function theory

Autori: Mykhailo Klymenko; Françoise Remacle
Pubblicato in: IOP PublishingCrossref 2014
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1088/0953-8984/26/6/065302; PubMed ID:24451236; Microsoft Academic Graph Identifier:2083762889

Operation of a quantum dot in the finite-state machine mode: Single-electron dynamic memory

Autori: Françoise Remacle; Michael L. Klein; Raphael D. Levine; Raphael D. Levine; Mykhailo Klymenko
Pubblicato in: AIP PublishingCrossref 2016
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1063/1.4955422; Digital Object Identifier:10.48550/arxiv.1603.03601; arXiv:http://arxiv.org/abs/1603.03601; Microsoft Academic Graph Identifier:3103691323; Microsoft Academic Graph Identifier:2295461354

Dual-Port Reflectometry Technique: Charge identification in nanoscaled single-electron transistors

Autori: Orlov, Alexei O.; Fay, P.; Snider, G.; Jehl, Xavier; Barraud, Sylvain; Sanquer, M.
Pubblicato in: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)https://cea.hal.science/cea-01734601 2015
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1109/mnano.2015.2409411; Microsoft Academic Graph Identifier:1533582189

Control of the ionization state of three single donor atoms in silicon

Autori: B. Voisin; M. Cobian; X. Jehl; M. Vinet; Y.-M. Niquet; C. Delerue; S. de Franceschi; M. Sanquer
Pubblicato in: American Physical Society (APS)https://hal.science/hal-00981141 2014
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1103/physrevb.89.161404; Microsoft Academic Graph Identifier:2079299414

Few-Electron Edge-State Quantum Dots in a Silicon Nanowire Field-Effect Transistor

Autori: Benoit Voisin; Viet-Hung Nguyen; Julien Renard; Xavier Jehl; Sylvain Barraud; François Triozon; Maud Vinet; Ivan Duchemin; Yann-Michel Niquet; Silvano de Franceschi; Marc Sanquer
Pubblicato in: American Chemical Society (ACS)EISSN: 1530-6992 2014
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1021/nl500299h; PubMed ID:24611581; Microsoft Academic Graph Identifier:2015486161

Quantum Dot Made in Metal Oxide Silicon-Nanowire Field Effect Transistor Working at Room Temperature.

Autori: Lavieville, Romain; Triozon, François; Barraud, Sylvain; Corna, Andrea; Jehl, Xavier; Sanquer, M.; Li, Jing; Abisset, Antoine; Duchemin, Ivan; Niquet, Yann-Michel
Pubblicato in: American Chemical Society (ACS)EISSN: 1530-6992 2015
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1021/nl504806s; PubMed ID:25923197; Microsoft Academic Graph Identifier:1972716194

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