Ziel
The objective of this project was to obtain single crystalline layers of silicon-on-insulator (SOI), with thicknesses from 0.5micron to 30micron, for a variety of applications. The results are potentially applicable both to silicon-on-insulator, for high-performance integrated circuits, and as an alternative to dielectric isolation processing.
The objective of this project was to obtain single crystalline layers of silicon on insulator (SOI), with thicknesses from 0.5 micron to 30 micron, for a variety of applications.
The following results were achieved:
A new stripheater system was developed for the recrystallization of full wafers based on focused high pressure mercury lamps.
Recrystallization experiments were performed with focused laser beams and with the stripheater system.
A detailed study of the influence of all process parameters for both techniques was carried out.
Successful seeded and unseeded recrystallizations were performed, with both techniques leading to good quality material. Stripheater layers of between 0.5 micron and 10 micron were directly recrystallized; in both cases good electrical characteristics were obtained in test devices.
Epitaxial thickening of thin SOI layers was performed on limited as well as on large area structures.
A range of trench etching equipment was evaluated and a system purchased and installed. Very good trench etching was achieved up to a depth of 20 micron. Oxide polysilicon sandwich layers were evaluated as the best choice for trench filling.
The design of a combined insulator and epitaxy equipment for the photochemical deposition of insulators and silicon was completed. This technique was abandoned when it became clear that it was not commercially viable. The project demostrated that the methods used, based on lamp and laser beams, were technologically feasible but not, as yet, economically viable.
The following results were achieved:
-A new strip-heater system was developed for the recrystallisation of full wafers based on focused highpressure mercury lamps.
-Recrystallisation experiments were performed with focused laser beams and with the stripheater system.
-A detailed study of the influence of all process parameters for both techniques was carried out.
-Successful seeded and unseeded recrystallisations were performed, with both techniques leading to good quality material. Stripheater layers of between 0.5micron and 10micron were directly recrystallised; in both cases good electrical characteristics were obtained in test devices.
-Epitaxial thickening of thin SOIlayers was performed on limited as well as on large-area structures.
-A range of trench etching equipment was evaluated and a system purchased and installed. Very good trench etching was achieved up to a depth of 20micron. Oxidepolysilicon sandwich layers were evaluated as the best choice for trench filling.
-The design of a combined insulator and epitaxy equipment for the photochemical deposition of insulators and silicon was completed. This technique was abandoned when it became clear that it was not commercially viable.
The project demonstrated that the methods used, based on lamp and laser beams, were technologically feasible but not, as yet, economically viable. In particular, the lamp recrystallisation has been proven as the best approach for material synthesis if 0. 5 micron or thicker layers are required, such as for smart power and high voltage applications, whereas laser recrystallisation can be viewed as a viable method for 3D integration (see project245).
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Übergangsmetalle
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Metalloide
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Optik Laserphysik
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
3030 HEVERLEE
Belgien
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.