Ziel
The aim of this project was to significantly increase the ESD hardness of CMOS technologies in the submicron range by improving the understanding of ESD phenomena and developing technology-independent guidelines based on a detailed investigation of relevant parameters and realistic stress models.
The aim of this project is to significantly increase the electrostatic discharge (ESD) hardness of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technologies in the submicron range by improving the understanding of ESD phenomena and developing technology independent guidelines based on a detailed investigation of relevant parameters and realistic stress models.
Several types of ESD testers and stress models (human body, charged device and machine models), used to determine the ESD hardness of integrated circuits, are being characterised, and are being shown to give nonconformal results, even within the limits of the existing military (MIL) standards. The results will be further correlated with field returns. A proposal for the standardisation of ESD stress models and related procedures is being set up and is under discussion in the standardization group for ESD testing. Several new types of ESD testers related to charged device model testing are being compared with the prototype built in this project.
Failure criteria characterizing the effectiveness of ESD protection measures with respect to fatal and latent damage are being defined. Besides bulk CMOS, particular attention is being paid to problems specific to silicon-on-insulator (SOI) technologies, where energy dissipation is considerably hampered by the isolated structure, and conventional protectioncircuits cannot be used adequately. Layout variations of devices, different types of devices, protection circuits with varied device combinations, and protected circuits are being investigated with respect to the different failure criteria. Adequate monitor circuits have been developed. An initial set of guidelines for improving the ESD hardness for processes and circuits its being generated. The influence of different packages on failure mechanisms and thresholds will also be considered. Complex electrothermal simulation tools, capable of handling the ESD-relevant voltage and current ranges as well as time and fr equency domains, will be developed. They will be verified and improved using the experimental results and failure analysis data available from the 2 previous workpackages, and will provide the basis for designing tailor made protection solutions for future generations of integrated circuits (IC).
Submicron CMOS technologies show increased sensitivity to electrostatic discharge (ESD) due to reduced gate oxide thickness, shallow junctions, lightly doped drain and lack of high resistive interconnections, which tend to reduce circuit reliability. On the other hand, the need for high pin counts, high signal frequencies and advanced analogue performance puts even higher demands on reliability. As a consequence, a special tailor-made protection strategy preventing the inner logic from being damaged by ESD voltages and currents must be found for each application so as to reconcile these opposing trends. Because of the complexity of the problem, reliable guidelines for the optimised design of future protection systems are needed, but are not yet available.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie anorganische Verbindungen
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
80333 MUENCHEN
Deutschland
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.