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Contenuto archiviato il 2024-06-18

Drift In Amorphous Semiconductors - A Partnership Of Rüschlikon and Aachen

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Subthreshold electrical transport in amorphous phase-change materials

Autori: Gallo, Manuel Le; Kaes, Matthias; Sebastian, Abu; Krebs, Daniel
Pubblicato in: Zenodo
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1088/1367-2630/17/9/093035; Open Archives Initiative:oai:zenodo.org:14581833

Relation between bandgap and resistance drift in amorphous phase change materials

Autori: Rütten, Martin; Kaes, Matthias; Albert, Andreas; Wuttig, Matthias; Salinga, Martin
Pubblicato in: Springer Science and Business Media LLCSci Rep 2015
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1038/srep17362; Digital Object Identifier:10.18154/rwth-2016-00700; PubMed ID:26621533; PubMed Central ID:PMC4664898; Microsoft Academic Graph Identifier:2416028661

Localised states and their capture characteristics in amorphous phase-change materials

Autori: Rütten, Martin; Geilen, Andreas; Sebastian, Abu; Krebs, Daniel; Salinga, Martin
Pubblicato in: Springer Science and Business Media LLCSci Rep 2019
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1038/s41598-019-43035-7; Digital Object Identifier:10.18154/rwth-2019-08952; PubMed ID:31036924; PubMed Central ID:PMC6488676; Microsoft Academic Graph Identifier:2943018218

Exploiting nanoscale effects in phase change memories

Autori: Kersting, Benedikt; Salinga, Martin
Pubblicato in: Royal Society of Chemistry (RSC)Faraday Discussions 2019
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1039/c8fd00119g; Digital Object Identifier:10.18154/rwth-2019-03237; PubMed ID:30402620; PubMed Central ID:PMC6390696; Microsoft Academic Graph Identifier:2900207946

Impact of defect occupation on conduction in amorphous Ge2Sb2Te5

Autori: Kaes, Matthias; Salinga, Martin Stefan
Pubblicato in: Springer Science and Business Media LLCScientific reports 6, 31699 (2016). doi:10.1038/srep31699 2016
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1038/srep31699; Digital Object Identifier:10.18154/rwth-2019-06419; PubMed ID:27526783; PubMed Central ID:PMC4985640; Microsoft Academic Graph Identifier:2509111893

Collective Structural Relaxation in Phase‐Change Memory Devices

Autori: Abu Sebastian; Martin Salinga; Martin Salinga; Daniel Krebs; Federico Zipoli; Manuel Le Gallo
Pubblicato in: WileyAdvanced Electronic Materials 2018
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1002/aelm.201700627; Digital Object Identifier:10.18154/rwth-2018-228395; Microsoft Academic Graph Identifier:2883451745

Monatomic phase change memory

Autori: Iason Giannopoulos; Benedikt Kersting; Benedikt Kersting; Abu Sebastian; Manuel Le Gallo; Ider Ronneberger; Ider Ronneberger; Riccardo Mazzarello; Martin Salinga; Martin Salinga; Xuan Thang Vu; Oana Cojocaru-Mirédin; Vara Prasad Jonnalagadda
Pubblicato in: Springer Science and Business Media LLCCrossref 2018
ID permanente: Digital Object Identifier:10.1038/s41563-018-0110-9; Digital Object Identifier:10.48550/arxiv.1902.00254; PubMed ID:29915426; arXiv:http://arxiv.org/abs/1902.00254; Microsoft Academic Graph Identifier:3103460058; Microsoft Academic Graph Identifier:2807789411; Handle:11573/1465527

Si è verificato un errore durante la ricerca dei dati su OpenAIRE

Nessun risultato disponibile