Obiettivo
Ferroelectric compounds such as the lead zirconate titanates (PbZrxTi1-xO3, or PZT) exhibit a range of physical properties of interest for different applications. In particular, they are characterised by a permanent, electrically switchable dielectric polarisation, which makes ferroelectric capacitors suitable for binary, non-volatile data storage.
The objective of FELMAS is to demonstrate the feasibility of making high-quality PZT films of sufficient quality for non-volatile memory devices and to integrate them with existing CMOS technologies.
The development of a ferroelectric technology has been largely completed. Capacitors with a film thickness between 0.1 and 0.4 um have been deposited on 10 cm oxidized silicon wafers. They can be switched for more than 1010 cycles at 5 V and for more than 1015 cycles at 1.5 V. This is very promising for low voltage (battery operated) applications. On the process development side, it has been shown that the structuring of the capacitors can be successfully done by dry etching techniques such as reactive ion etching. This enables production of high density memories and enhances the compatibility with silicon integrated circuit (IC) processes.
Considerable effort has been expended on the design of a test structure evaluation module (TSEM) containing a number of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and ferroelectric test structures, sensor structures, different memory cells and a small (256 bit) memory. The design is now complete.
Specific aims are to:
- develop and optimise thin-film PZT deposition on silicon substrates (10-15 cm in diameter) using two different methods (sol-gel spin coating form metal-organic solutions and metal-organic chemical vapour deposition)
- optimise the influence of composition, dopant type and concentration, processing conditions and microstructure on the switching properties of PZT films
- optimise standard Ti/Pt electrodes and develop electrodes with improved switching properties
- develop models for the switching, fatigue and retention behaviour of ferroelectric thin films
- develop viable processing techniques compatible with IC technologies
- design, process and evaluate test structure evaluation modules (TSEMs) to demonstrate the compatibility of ferroelectric and CMOS technologies, using 1.5 micron technology and including a memory device.
- perform a preliminary evaluation of the industrialisation potential and limitations of the ferroelectric technology
- evaluate deposited ferroelectric films for sensor applications.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica composti inorganici
- ingegneria e tecnologia ingegneria dei materiali rivestimenti e pellicole
- ingegneria e tecnologia ingegneria elettrica, ingegneria elettronica, ingegneria informatica ingegneria elettronica sensori
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- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
5600 MD EINDHOVEN
Paesi Bassi
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.