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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
CORDIS
Contenido archivado el 2024-06-18

Fast Anneal of Compound semiconductors for Integration of new Technologies

Objetivo

The CMOS industry relies on the capabilities of engineers to control atomic positions at sub-nm scale across several interfaces. The formation of abrupt interfaces is heavily dependent on the thermal budget during their formation and of any other subsequent thermal treatments during device fabrication. As device dimensions decrease, the thicknesses of all junctions and interfaces must be reduced so that they do not become the major fractional volume of the whole device. In that framework, ultra fast annealing is becoming a key technology to enable the fabrication of nano scaled devices.
In parallel to this evolution, CMOS technology has seen a materials revolution in recent years. The introduction of high-k dielectrics at 45 nm and of FINFET technology at 22nm extended the lifespan of devices reliant on Si channels. Replacing silicon with high-mobility channels such as Ge and InGaAs will be the next major materials revolution. Whatever the method used to co integrate SiGe and InGaAs, such materials are both very different from Si, in particular with respect to thermal treatments. Co-processing of SiGe pFET and InGaAs nFET is therefore extremely challenging. Device processing on InGaAs nFET should not exceed the allowed thermal budget that SiGe can withstand or vice-versa. Ultra fast annealing will therefore be a key technology to enable the co-integration of Ge and InGaAs.
We propose in this project to explore fast (ms) anneal of high-m channels as a generic vehicle to reduce the thermal budget of critical modules. We will in particular focus on InGaAs, as it is the less mature technology with respect to SiGe-based devices. The three main challenges for a successful integration of InGaAs-based MOSFETs in future VLSI technology are clearly identified: (i) fabrication of nanoscale InGaAs “patches”, the active channels, on silicon (ii) high capacitance, low interface state density gate dielectric and (iii) low contact and access resistance in the source/drain regions.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: https://op.europa.eu/es/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

FP7-PEOPLE-2013-IEF
Consulte otros proyectos de esta convocatoria

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

MC-IEF - Intra-European Fellowships (IEF)

Coordinador

IBM RESEARCH GMBH
Aportación de la UE
€ 199 317,60
Dirección
SAEUMERSTRASSE 4
8803 RUESCHLIKON
Suiza

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Región
Schweiz/Suisse/Svizzera Nordwestschweiz Aargau
Tipo de actividad
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Enlaces
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

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