Skip to main content
Vai all'homepage della Commissione europea (si apre in una nuova finestra)
italiano italiano
CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
CORDIS
Contenuto archiviato il 2024-06-18

Fast Anneal of Compound semiconductors for Integration of new Technologies

Obiettivo

The CMOS industry relies on the capabilities of engineers to control atomic positions at sub-nm scale across several interfaces. The formation of abrupt interfaces is heavily dependent on the thermal budget during their formation and of any other subsequent thermal treatments during device fabrication. As device dimensions decrease, the thicknesses of all junctions and interfaces must be reduced so that they do not become the major fractional volume of the whole device. In that framework, ultra fast annealing is becoming a key technology to enable the fabrication of nano scaled devices.
In parallel to this evolution, CMOS technology has seen a materials revolution in recent years. The introduction of high-k dielectrics at 45 nm and of FINFET technology at 22nm extended the lifespan of devices reliant on Si channels. Replacing silicon with high-mobility channels such as Ge and InGaAs will be the next major materials revolution. Whatever the method used to co integrate SiGe and InGaAs, such materials are both very different from Si, in particular with respect to thermal treatments. Co-processing of SiGe pFET and InGaAs nFET is therefore extremely challenging. Device processing on InGaAs nFET should not exceed the allowed thermal budget that SiGe can withstand or vice-versa. Ultra fast annealing will therefore be a key technology to enable the co-integration of Ge and InGaAs.
We propose in this project to explore fast (ms) anneal of high-m channels as a generic vehicle to reduce the thermal budget of critical modules. We will in particular focus on InGaAs, as it is the less mature technology with respect to SiGe-based devices. The three main challenges for a successful integration of InGaAs-based MOSFETs in future VLSI technology are clearly identified: (i) fabrication of nanoscale InGaAs “patches”, the active channels, on silicon (ii) high capacitance, low interface state density gate dielectric and (iii) low contact and access resistance in the source/drain regions.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/it/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

È necessario effettuare l’accesso o registrarsi per utilizzare questa funzione

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP7-PEOPLE-2013-IEF
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

MC-IEF - Intra-European Fellowships (IEF)

Coordinatore

IBM RESEARCH GMBH
Contributo UE
€ 199 317,60
Indirizzo
SAEUMERSTRASSE 4
8803 RUESCHLIKON
Svizzera

Mostra sulla mappa

Regione
Schweiz/Suisse/Svizzera Nordwestschweiz Aargau
Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato
Il mio fascicolo 0 0