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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Contenu archivé le 2024-06-18

Fast Anneal of Compound semiconductors for Integration of new Technologies

Objectif

The CMOS industry relies on the capabilities of engineers to control atomic positions at sub-nm scale across several interfaces. The formation of abrupt interfaces is heavily dependent on the thermal budget during their formation and of any other subsequent thermal treatments during device fabrication. As device dimensions decrease, the thicknesses of all junctions and interfaces must be reduced so that they do not become the major fractional volume of the whole device. In that framework, ultra fast annealing is becoming a key technology to enable the fabrication of nano scaled devices.
In parallel to this evolution, CMOS technology has seen a materials revolution in recent years. The introduction of high-k dielectrics at 45 nm and of FINFET technology at 22nm extended the lifespan of devices reliant on Si channels. Replacing silicon with high-mobility channels such as Ge and InGaAs will be the next major materials revolution. Whatever the method used to co integrate SiGe and InGaAs, such materials are both very different from Si, in particular with respect to thermal treatments. Co-processing of SiGe pFET and InGaAs nFET is therefore extremely challenging. Device processing on InGaAs nFET should not exceed the allowed thermal budget that SiGe can withstand or vice-versa. Ultra fast annealing will therefore be a key technology to enable the co-integration of Ge and InGaAs.
We propose in this project to explore fast (ms) anneal of high-m channels as a generic vehicle to reduce the thermal budget of critical modules. We will in particular focus on InGaAs, as it is the less mature technology with respect to SiGe-based devices. The three main challenges for a successful integration of InGaAs-based MOSFETs in future VLSI technology are clearly identified: (i) fabrication of nanoscale InGaAs “patches”, the active channels, on silicon (ii) high capacitance, low interface state density gate dielectric and (iii) low contact and access resistance in the source/drain regions.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/fr/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

FP7-PEOPLE-2013-IEF
Voir d’autres projets de cet appel

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

MC-IEF - Intra-European Fellowships (IEF)

Coordinateur

IBM RESEARCH GMBH
Contribution de l’UE
€ 199 317,60
Adresse
SAEUMERSTRASSE 4
8803 RUESCHLIKON
Suisse

Voir sur la carte

Région
Schweiz/Suisse/Svizzera Nordwestschweiz Aargau
Type d’activité
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Liens
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

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