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CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
CORDIS
Inhalt archiviert am 2024-06-18

Fast Anneal of Compound semiconductors for Integration of new Technologies

Ziel

The CMOS industry relies on the capabilities of engineers to control atomic positions at sub-nm scale across several interfaces. The formation of abrupt interfaces is heavily dependent on the thermal budget during their formation and of any other subsequent thermal treatments during device fabrication. As device dimensions decrease, the thicknesses of all junctions and interfaces must be reduced so that they do not become the major fractional volume of the whole device. In that framework, ultra fast annealing is becoming a key technology to enable the fabrication of nano scaled devices.
In parallel to this evolution, CMOS technology has seen a materials revolution in recent years. The introduction of high-k dielectrics at 45 nm and of FINFET technology at 22nm extended the lifespan of devices reliant on Si channels. Replacing silicon with high-mobility channels such as Ge and InGaAs will be the next major materials revolution. Whatever the method used to co integrate SiGe and InGaAs, such materials are both very different from Si, in particular with respect to thermal treatments. Co-processing of SiGe pFET and InGaAs nFET is therefore extremely challenging. Device processing on InGaAs nFET should not exceed the allowed thermal budget that SiGe can withstand or vice-versa. Ultra fast annealing will therefore be a key technology to enable the co-integration of Ge and InGaAs.
We propose in this project to explore fast (ms) anneal of high-m channels as a generic vehicle to reduce the thermal budget of critical modules. We will in particular focus on InGaAs, as it is the less mature technology with respect to SiGe-based devices. The three main challenges for a successful integration of InGaAs-based MOSFETs in future VLSI technology are clearly identified: (i) fabrication of nanoscale InGaAs “patches”, the active channels, on silicon (ii) high capacitance, low interface state density gate dielectric and (iii) low contact and access resistance in the source/drain regions.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: https://op.europa.eu/de/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

FP7-PEOPLE-2013-IEF
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Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

MC-IEF - Intra-European Fellowships (IEF)

Koordinator

IBM RESEARCH GMBH
EU-Beitrag
€ 199 317,60
Adresse
SAEUMERSTRASSE 4
8803 RUESCHLIKON
Schweiz

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Region
Schweiz/Suisse/Svizzera Nordwestschweiz Aargau
Aktivitätstyp
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
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Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

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