High efficiency GaInP/GaAs Tandem wafer bonded solar cell on silicon

Información del proyecto

HISTORIC

Identificador del acuerdo de subvención: 655272

DOI

10.3030/655272

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 18 Marzo 2015

Fecha de inicio 1 Junio 2015

Fecha de finalización 31 Mayo 2017

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coste total

€ 159 460,80

Aportación de la UE

€ 159 460,80

Coordinado por

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG EV
Germany

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Publicaciones

Peer reviewed articles (2)

Monolithic Two-Terminal III–V//Si Triple-Junction Solar Cells With 30.2% Efficiency Under 1-Sun AM1.5g

Autores: Romain Cariou, Jan Benick, Paul Beutel, Nasser Razek, Christoph Flotgen, Martin Hermle, David Lackner, Stefan W. Glunz, Andreas W. Bett, Markus Wimplinger, Frank Dimroth
Publicado en: IEEE Journal of Photovoltaics, Edición 7/1, 2017, Página(s) 367-373, ISSN 2156-3381
Editor: IEEE Electron Devices Society
DOI: 10.1109/JPHOTOV.2016.2629840

Direct wafer bonding of highly conductive GaSb/GaInAs and GaSb/GaInP heterojunctions prepared by argon-beam surface activation

Autores: Felix Predan, Dirk Reinwand, Romain Cariou, Markus Niemeyer, Frank Dimroth
Publicado en: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, Edición 34/3, 2016, Página(s) 031103, ISSN 0734-2101
Editor: American Institute of Physics
DOI: 10.1116/1.4947118