High efficiency GaInP/GaAs Tandem wafer bonded solar cell on silicon

Projektinformationen

HISTORIC

ID Finanzhilfevereinbarung: 655272

DOI

10.3030/655272

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 18 März 2015

Startdatum 1 Juni 2015

Enddatum 31 Mai 2017

Finanziert unter

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Gesamtkosten

€ 159 460,80

EU-Beitrag

€ 159 460,80

Koordiniert durch

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG EV
Germany

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Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (2)

Monolithic Two-Terminal III–V//Si Triple-Junction Solar Cells With 30.2% Efficiency Under 1-Sun AM1.5g

Autoren: Romain Cariou, Jan Benick, Paul Beutel, Nasser Razek, Christoph Flotgen, Martin Hermle, David Lackner, Stefan W. Glunz, Andreas W. Bett, Markus Wimplinger, Frank Dimroth
Veröffentlicht in: IEEE Journal of Photovoltaics, Ausgabe 7/1, 2017, Seite(n) 367-373, ISSN 2156-3381
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society
DOI: 10.1109/JPHOTOV.2016.2629840

Direct wafer bonding of highly conductive GaSb/GaInAs and GaSb/GaInP heterojunctions prepared by argon-beam surface activation

Autoren: Felix Predan, Dirk Reinwand, Romain Cariou, Markus Niemeyer, Frank Dimroth
Veröffentlicht in: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, Ausgabe 34/3, 2016, Seite(n) 031103, ISSN 0734-2101
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1116/1.4947118