High efficiency GaInP/GaAs Tandem wafer bonded solar cell on silicon

Informazioni relative al progetto

HISTORIC

ID dell’accordo di sovvenzione: 655272

DOI

10.3030/655272

Progetto chiuso

Data della firma CE 18 Marzo 2015

Data di avvio 1 Giugno 2015

Data di completamento 31 Maggio 2017

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Costo totale

€ 159 460,80

Contributo UE

€ 159 460,80

Coordinato da

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG EV
Germany

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (2)

Monolithic Two-Terminal III–V//Si Triple-Junction Solar Cells With 30.2% Efficiency Under 1-Sun AM1.5g

Autori: Romain Cariou, Jan Benick, Paul Beutel, Nasser Razek, Christoph Flotgen, Martin Hermle, David Lackner, Stefan W. Glunz, Andreas W. Bett, Markus Wimplinger, Frank Dimroth
Pubblicato in: IEEE Journal of Photovoltaics, Numero 7/1, 2017, Pagina/e 367-373, ISSN 2156-3381
Editore: IEEE Electron Devices Society
DOI: 10.1109/JPHOTOV.2016.2629840

Direct wafer bonding of highly conductive GaSb/GaInAs and GaSb/GaInP heterojunctions prepared by argon-beam surface activation

Autori: Felix Predan, Dirk Reinwand, Romain Cariou, Markus Niemeyer, Frank Dimroth
Pubblicato in: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, Numero 34/3, 2016, Pagina/e 031103, ISSN 0734-2101
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1116/1.4947118