Optimal SIC substR ates for Integrated Microwave and Power CircuitS

Informazioni relative al progetto

OSIRIS

ID dell’accordo di sovvenzione: 662322

DOI

10.3030/662322

Progetto chiuso

Data della firma CE 7 Luglio 2015

Data di avvio 1 Maggio 2015

Data di completamento 30 Novembre 2018

Finanziato da

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)

Costo totale

€ 4 487 117,50

Contributo UE

€ 1 819 212,00

Coordinato da

III-V LAB
France

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Websites, patent fillings, videos etc. (7)

Newsletter 1
Project website
Workshop on material research
Workshop on devices and applications
Newsletter 2
Communication kit

Communication kit targeted towards middle school students

Project Video

Documents, reports (1)

Report thermal conductivity of substrates and epiwafers

LIU will report on the thermal conductivity of the different substrates and epiwafers used in the project

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (3)

Probing the Local Electrical Properties of Al(In,Ga)N by Kelvin Probe Force Microscopy

Autori: Albert Minj, Hichem Ben Ammar, Ana Cros, Nuria Garro, Piero Gamarra, Sylvain L. Delage, Pierre Ruterana
Pubblicato in: physica status solidi (b), Numero 255/5, 2018, Pagina/e 1700427, ISSN 0370-1972
Editore: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/pssb.201700427

Investigation of strain effects on phase diagrams in the ternary nitride alloys (InAlN, AlGaN, InGaN)

Autori: Ranim Mohamad, Antoine Béré, Jun Chen, Pierre Ruterana
Pubblicato in: physica status solidi (a), Numero 214/9, 2017, Pagina/e 1600752, ISSN 1862-6300
Editore: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201600752

A Theoretical Investigation of the Miscibility and Structural Properties of In x Al y Ga 1−x−y N Alloys

Autori: Ranim Mohamad, Antoine Béré, Viwanou Hounkpati, Piero Gamarra, Jun Chen, Pierre Ruterana
Pubblicato in: physica status solidi (b), Numero 255/5, 2018, Pagina/e 1700394, ISSN 0370-1972
Editore: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/pssb.201700394

Thesis and dissertations (1)

Relaxation de la contrainte dans les hétérostructures Al(Ga)InN/GaN pour applications électroniques: modélisation des propriétés physiques et rôle de l'indium dans la dégradation des couches épitaxiales

Autori: Ranim Mohamad
Pubblicato in: 2018
Editore: École Doctorale Physique, Sciences de l'Ingénieur, Matériaux, Énergie (Rouen)

Conference proceedings (5)

Transfer of Knowledge from Scientific Research Projects towards Middle School Scholars

Autori: J. Kovác, jr, R. Szobolovský, A. Kósa, L. Stuchlíková and J. Kovác
Pubblicato in: ICETA, 2015
Editore: IEEEE

Thermal Management of multifinger Power HEMTs Supported by 3-D Simulation

Autori: A. Chvála, J. Marek, P. Príbytný, J. Kováč, S. Delage, J.-C. Jacquet and D. Donoval
Pubblicato in: Advances in Electrical and Electronic Engineering, Numero Proceedings of the 4th international conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies ADEPT, June 20 - 23, 2016, 2016
Editore: Advances in Electrical and Electronic Engineering

2/3-D Device Simulations as an Effective Tool in Microelectronics Education

Autori: Aleš Chvála, Juraj Marek, Arpád Kósa, Patrik Príbytný, Ľubica Stuchlíková and Daniel Donoval
Pubblicato in: Proceeding EWME, Numero 11th European Workshop on Microelectronics Education 2016, Southampton, 11-13 May, 2016, 2016
Editore: IEEE Xplore

Results on specific backside opening process dedicated to engineering package for SiC component

Autori: G. Bascoul, F. Infante
Pubblicato in: Association d'analyse de défaillance Française (ANADEF), Numero June 7-10 2016 Seignosse-Hossegor France, 2016
Editore: ANADEF

Surface properties of AlInN/GaN heterostructures

Autori: A. Minj, D. Skuridina, D. Cavalcoli, A. Cros, P. Vogt, M. Kneissl, H. Ben Ammar and P. Ruterana
Pubblicato in: E-MRS, Numero Spring meeting, 2-6 May 2016 Lille France, 2016
Editore: MRS