Obiettivo
OSIRIS project, a Research and Innovation Action (RIA), aims at improving substantially the cost effectiveness and performance of gallium nitride (GaN) based millimetre wave components. The project proposes to elaborate innovative SiC material using isotopic sources. This material will offer thermal conductivity improvement of 30% which is important for devices dissipating a lot of power, in particular in SiC power electronics and in microwave device using GaN high electron mobility transistors (HEMT) grown on SiC semi-insulating substrates. OSIRIS project will allow reinforcing GaN technology penetration into the market by cost effectiveness of the SiC substrates and circuit performances improvement thanks to better heat spreading close to the dissipative area.
For microwave GaN/SiC HEMT this isotopic approach could create a complete shift in the currently used substrate / GaN epi-wafer technology; it intends to grow high thermal conductivity (+30%) semi-insulating SiC on top of low cost semiconducting SiC substrates (widely used by the power electronics and LED industries). Reduced layer thickness is necessary as only the top 50 to 100µm SiC wafer is really useful as the substrate itself is currently thinned to realise microstrip waveguided microwave circuits.
For power electronics, this isotopic innovation will be essentially focused on thermal improvement, i.e. better electron mobility at a given power dissipation as mobility and drift mobility decrease with temperature and also better carrier transport thanks to lower scattering rates. Schottky and p-i-n diodes will be tested using this material, which however will have to be doped while microwave devices need semi-insulating materials.
The improved thermal SiC properties will be obtained by using single isotopic atoms for silicon and carbon, namely 28Si and 12C. The SiC wafer size will be targeted to 100mm (4-inches) which is today widely used on industry.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
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- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
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H2020-EU.2.1.1. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)
PROGRAMMA PRINCIPALE
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H2020-EU.2.1.1.7. - ECSEL
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Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
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Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
ECSEL-RIA - ECSEL Research and Innovation Action
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Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
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(si apre in una nuova finestra) ECSEL-2014-1
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Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.
91767 Palaiseau Cedex
Francia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.