3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices

Projektinformationen

CHALLENGE

ID Finanzhilfevereinbarung: 720827

DOI 10.3030/720827

Abgeschlossenes Projekt

EK-Unterschriftsdatum 9 November 2016

Startdatum 1 Januar 2017

Enddatum 30 Juni 2021

Finanziert unter

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Advanced materials

Gesamtkosten € 8 048 322,50

EU-Beitrag € 7 997 822,50

Koordiniert durch

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy