3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices

Informacje na temat projektu

CHALLENGE

Identyfikator umowy o grant: 720827

DOI 10.3030/720827

Projekt został zamknięty

Data podpisania przez KE 9 Listopada 2016

Data rozpoczęcia 1 Stycznia 2017

Data zakończenia 30 Czerwca 2021

Finansowanie w ramach

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Advanced materials

Koszt całkowity € 8 048 322,50

Wkład UE € 7 997 822,50

Koordynowany przez

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy