Ziel
Power electronics is the key technology to control the flow of electrical energy between source and load for a wide variety of applications from the GWs in energy transmission lines, the MWs in datacenters that power the internet to the mWs in mobile phones. Wide band gap semiconductors such as GaN use their capability to operate at higher voltages, temperatures, and switching frequencies with greater efficiencies. The GaNonCMOS project aims to bring GaN power electronic materials, devices and systems to the next level of maturity by providing the most densely integrated materials to date. This development will drive a new generation of densely integrated power electronics and pave the way toward low cost, highly reliable systems for energy intensive applications.
This will be realized by integrating GaN power switches with CMOS drivers densely together using different integration schemes from the package level up to the chip level including wafer bonding between GaN on Si(111) and CMOS on Si (100) wafers. This requires the optimization of the GaN materials stack and device layout to enable fabrication of normally-off devices for such low temperature integration processes (max 400oC). In addition, new soft magnetic core materials reaching switching frequencies up to 200 Mhz with ultralow power losses will be developed. This will be assembled with new materials and methods for miniaturised packages to allow GaN devices, modules and systems to operate under maximum speed and energy efficiency. A special focus is on the long term reliability improvements over the full value chain of materials, devices, modules and systems. This is enabled by the choice of consortium partners that cover the entire value chain from universities, research centers, SME’s, large industries and vendors that incorporate the developed technology into practical systems such as datacenters, automotive, aviation and e-mobility bikes
Wissenschaftliches Gebiet
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringelectronic engineeringcomputer hardwarecomputer processors
- engineering and technologymaterials engineeringcoating and films
- natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringinformation engineeringtelecommunicationsmobile phones
- natural scienceschemical sciencesinorganic chemistrymetalloids
Programm/Programme
Thema/Themen
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Andere Projekte für diesen Aufruf anzeigenUnterauftrag
H2020-NMBP-2016-two-stage
Finanzierungsplan
RIA - Research and Innovation actionKoordinator
3000 Leuven
Belgien
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Beteiligte (13)
3500 Hasselt
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Die Organisation definierte sich zum Zeitpunkt der Unterzeichnung der Finanzhilfevereinbarung selbst als KMU (Kleine und mittlere Unternehmen).
80686 Munchen
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8803 Rueschlikon
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8700 Leoben
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15236 Frankfurt Oder
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T12 YN60 Cork
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4810 GMUNDEN
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Die Organisation definierte sich zum Zeitpunkt der Unterzeichnung der Finanzhilfevereinbarung selbst als KMU (Kleine und mittlere Unternehmen).
Rechtsträger, der nicht Auftragnehmer ist und an einen Teilnehmer angegliedert oder rechtlich mit diesem verbunden ist. Der Rechtsträger übernimmt Arbeiten zu in der Finanzhilfevereinbarung festgelegten Bedingungen, liefert Waren oder bietet Dienstleistungen für die Aktion, unterzeichnet jedoch nicht die Finanzhilfevereinbarung. Eine Drittpartei hält sich an die Regeln, die gemäß der Finanzhilfevereinbarung für den verbundenen Teilnehmer gelten hinsichtlich der Förderfähigkeit von Kosten und der Kontrolle der Ausgaben.
4810 GMUNDEN
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63263 NEU-ISENBURG
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1930 Zaventem
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04158 Leipzig
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Beteiligung beendet
5656AG Eindhoven
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99097 Erfurt
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