Description du projet
L’intégration d’un matériau optiquement actif pour des applications de photonique sur silicium
Les dispositifs optiques et électroniques reposant sur des semiconducteurs III-V gagnent actuellement des parts de marché, et la production de tranches de semiconducteurs III-V en nitrure de gallium a augmenté avec des tailles atteignant 2”-6”. Pourtant, c’est encore insuffisant par rapport aux 8”-12” qui sont courants dans la technologie des semiconducteurs à oxyde de métal complémentaire (CMOS). Intégrer des semiconducteurs III-V sur une tranche de silicium ou de silicium sur isolant pour combiner des applications électroniques et photoniques et permettre aux technologies photoniques de tirer parti de cette technologie CMOS sur silicium très développée constitue depuis longtemps un objectif. Le projet ENUF, financé par l’UE, entend combiner deux méthodes de croissance épitaxiale différentes pour parvenir à l’intégration à faible coût de structures III-V sur isolant sur un substrat en silicium de grande surface et les établir en tant que substitut aux méthodes de dépôt III-V actuelles. Ces nouvelles méthodes favoriseraient également l’intégration à faible coût de matériaux optiquement actifs pour des applications de photonique sur silicium.
Objectif
As the worldwide photonics market is increasing and optical and electronic devices based on III-V semiconductors are gaining market segment, the production of III-V semiconductor wafers including GaN has increased in volume and sizes have increased from 2” to 6”. However, this is still short of the 8”-12” common in Silicon CMOS technology. Furthermore, the integration of III-Vs on silicon or on-insulator, has been a long-standing goal for the past 50 years, in order to combine electronic and photonic applications, and to allow photonic technologies to take advantage of the highly developed silicon CMOS technology, thereby opening up for vast new application opportunities. The aim of ENUF is for the first time to attempt to combine two different growth methods to achieve a low-cost integration of large-area III-V on insulator on a silicon platform, and to establish this as a replacement technology for existing III-V wafer production or to enable low-cost integration of optically active material as enabling technology for silicon photonic applications. The method can also be adapted to GaN on Si or on insulator for low-cost high-volume production of high power electronics and light emitting devices.
Champ scientifique
Programme(s)
Régime de financement
ERC-POC - Proof of Concept GrantInstitution d’accueil
8803 Rueschlikon
Suisse