Description du projet
L’intégration d’un matériau optiquement actif pour des applications de photonique sur silicium
Les dispositifs optiques et électroniques reposant sur des semiconducteurs III-V gagnent actuellement des parts de marché, et la production de tranches de semiconducteurs III-V en nitrure de gallium a augmenté avec des tailles atteignant 2”-6”. Pourtant, c’est encore insuffisant par rapport aux 8”-12” qui sont courants dans la technologie des semiconducteurs à oxyde de métal complémentaire (CMOS). Intégrer des semiconducteurs III-V sur une tranche de silicium ou de silicium sur isolant pour combiner des applications électroniques et photoniques et permettre aux technologies photoniques de tirer parti de cette technologie CMOS sur silicium très développée constitue depuis longtemps un objectif. Le projet ENUF, financé par l’UE, entend combiner deux méthodes de croissance épitaxiale différentes pour parvenir à l’intégration à faible coût de structures III-V sur isolant sur un substrat en silicium de grande surface et les établir en tant que substitut aux méthodes de dépôt III-V actuelles. Ces nouvelles méthodes favoriseraient également l’intégration à faible coût de matériaux optiquement actifs pour des applications de photonique sur silicium.
Objectif
As the worldwide photonics market is increasing and optical and electronic devices based on III-V semiconductors are gaining market segment, the production of III-V semiconductor wafers including GaN has increased in volume and sizes have increased from 2” to 6”. However, this is still short of the 8”-12” common in Silicon CMOS technology. Furthermore, the integration of III-Vs on silicon or on-insulator, has been a long-standing goal for the past 50 years, in order to combine electronic and photonic applications, and to allow photonic technologies to take advantage of the highly developed silicon CMOS technology, thereby opening up for vast new application opportunities. The aim of ENUF is for the first time to attempt to combine two different growth methods to achieve a low-cost integration of large-area III-V on insulator on a silicon platform, and to establish this as a replacement technology for existing III-V wafer production or to enable low-cost integration of optically active material as enabling technology for silicon photonic applications. The method can also be adapted to GaN on Si or on insulator for low-cost high-volume production of high power electronics and light emitting devices.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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H2020-EU.1.1. - EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)
PROGRAMME PRINCIPAL
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
ERC-POC - Proof of Concept Grant
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Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) ERC-2018-PoC
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La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.
8803 RUESCHLIKON
Suisse
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.