Descripción del proyecto
Integración de materiales con actividad óptica para aplicaciones fotónicas de silicio
Los dispositivos ópticos y electrónicos basados en semiconductores de los grupos III-V están ganando cuota de mercado y la producción de obleas de nitruro de galio, un semiconductor de los grupos III-V, ha aumentado con tamaños que alcanzan las 2-6 in. Sin embargo, este tamaño aún está lejos de las 8-12 in habituales en la tecnología de semiconductores complementarios de óxido de metal (CMOS, por sus siglas en inglés). La integración de semiconductores de los grupos III-V en silicio o en obleas de silicio sobre aislante para combinar aplicaciones electrónicas y fotónicas y, además, permitir que las tecnologías fotónicas aprovechen la tecnología de CMOS de silicio altamente desarrollada constituye una meta inveterada. El proyecto ENUF, financiado con fondos europeos, se propone combinar dos métodos de crecimiento epitaxial diferentes para lograr una integración de bajo coste de estructuras de semiconductores de los grupos III-V sobre aislante en un sustrato de silicio de gran superficie, y establecer estos procedimientos como una tecnología de reemplazo de los métodos actuales de deposición de semiconductores de los grupos III-V. Estos métodos innovadores permitirían asimismo integración de bajo coste de material con actividad óptica para aplicaciones fotónicas de silicio.
Objetivo
As the worldwide photonics market is increasing and optical and electronic devices based on III-V semiconductors are gaining market segment, the production of III-V semiconductor wafers including GaN has increased in volume and sizes have increased from 2” to 6”. However, this is still short of the 8”-12” common in Silicon CMOS technology. Furthermore, the integration of III-Vs on silicon or on-insulator, has been a long-standing goal for the past 50 years, in order to combine electronic and photonic applications, and to allow photonic technologies to take advantage of the highly developed silicon CMOS technology, thereby opening up for vast new application opportunities. The aim of ENUF is for the first time to attempt to combine two different growth methods to achieve a low-cost integration of large-area III-V on insulator on a silicon platform, and to establish this as a replacement technology for existing III-V wafer production or to enable low-cost integration of optically active material as enabling technology for silicon photonic applications. The method can also be adapted to GaN on Si or on insulator for low-cost high-volume production of high power electronics and light emitting devices.
Ámbito científico
Programa(s)
Régimen de financiación
ERC-POC - Proof of Concept GrantInstitución de acogida
8803 Rueschlikon
Suiza