Opis projektu
Wykorzystanie materiałów aktywnych optycznie w fotonice krzemowej
Urządzenia optyczne i elektroniczne oparte na półprzewodnikach III-V zdobywają obecnie coraz większy udział w rynku, a produkcja płytek półprzewodnikowych z azotku galu III-V rozwinęła się, obejmując teraz rozmiary sięgające 2–6 cali. To jednak wciąż mniej niż 8–12 cali, które jest powszechne w technologii CMOS. Uczeni od dawna dążą do integracji półprzewodników III-V na płytce typu „krzem na izolatorze” w celu połączenia zastosowań elektronicznych i fotonicznych oraz stworzenia technologii fotonicznych pozwalających na wykorzystanie wysoko rozwiniętej technologii krzemowej CMOS. Finansowany przez UE projekt ENUF ma na celu połączenie dwóch różnych technik epitaksji, aby umożliwić niedrogą integrację struktur „III-V na izolatorze” na wielkopowierzchniowym podłożu krzemowym i sprawić, by stały się zamiennikiem dla istniejących metod osadzania III-V. Nowe metody pozwoliłyby również na niedrogą integrację materiałów aktywnych optycznie do zastosowań w fotonice krzemowej.
Cel
As the worldwide photonics market is increasing and optical and electronic devices based on III-V semiconductors are gaining market segment, the production of III-V semiconductor wafers including GaN has increased in volume and sizes have increased from 2” to 6”. However, this is still short of the 8”-12” common in Silicon CMOS technology. Furthermore, the integration of III-Vs on silicon or on-insulator, has been a long-standing goal for the past 50 years, in order to combine electronic and photonic applications, and to allow photonic technologies to take advantage of the highly developed silicon CMOS technology, thereby opening up for vast new application opportunities. The aim of ENUF is for the first time to attempt to combine two different growth methods to achieve a low-cost integration of large-area III-V on insulator on a silicon platform, and to establish this as a replacement technology for existing III-V wafer production or to enable low-cost integration of optically active material as enabling technology for silicon photonic applications. The method can also be adapted to GaN on Si or on insulator for low-cost high-volume production of high power electronics and light emitting devices.
Dziedzina nauki
Program(-y)
System finansowania
ERC-POC - Proof of Concept GrantInstytucja przyjmująca
8803 Rueschlikon
Szwajcaria