Descripción del proyecto DEENESFRITPL Construir «hardware» de computación cuántica que pueda funcionar a temperaturas criogénicas más altas Las tecnologías cuánticas tienen el potencial de resolver problemas de cálculo que son demasiado complejos para los ordenadores clásicos. Las tecnologías cuánticas de «hardware» actuales se limitan principalmente a cúbits integrados que funcionan a temperaturas criogénicas extremas que miden de decenas a cientos de milikelvins. Los circuitos de control y lectura también son externos al chip que contiene los cúbits. En conjunto, todos estos problemas suponen un obstáculo para la construcción de ordenadores cuánticos prácticos con un gran número de cúbits. El proyecto IQubits, financiado con fondos europeos, prevé crear circuitos integrados de control y lectura de cúbits que puedan funcionar a temperaturas más altas y puedan integrarse en el mismo chip. En concreto, los investigadores desarrollarán cúbits de agujeros de espín de Si y SiGe de alta temperatura y circuitos integrados en tecnología comercial de semiconductores metal-óxido complementario de silicio sobre aislante de 22 nm totalmente agotada. Mostrar el objetivo del proyecto Ocultar el objetivo del proyecto Objetivo The objectives of the interdisciplinary project IQubits are to (i) develop and demonstrate experimentally high-temperature (high-T) Si and SiGe electron/hole-spin qubits and qubit integrated circuits (ICs) in commercial 22nm Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) CMOS foundry technology as the enabling fundamental building blocks of quantum computing technologies, (ii) verify the scalability of these qubits to 10nm dimensions through fabrication experiments and (iii) prove through atomistic simulations that, at 2nm dimensions, they are suitable for 300K operation. The proposed 22nm FDSOI qubit ICs consist of coupled quantum-dot electron and hole spin qubits, placed in the atomic-scale channel of multi-gate n- and p-MOSFETs, and of 60-240GHz spin control/readout circuits integrated on the same die in state-of-the-art FDSOI CMOS foundry technology. To assess the impact of future CMOS scaling, more aggressively scaled Si-channel SOI and nitride-channel qubit structures will also be designed and fabricated in two experimental processes with 10nm gate half pitch. The latter will be developed in this project. The plan is for the III-nitrides (III-N) qubits to be ultimately grown on a SOI wafer, to be compatible with CMOS. Because of their larger bandgap, III-N hold a better prospect than Si and SiGe for qubits with larger coupling energy and mode energy splitting, and 300K operation. As a radical breakthrough, the fabricated qubits will feature coupling energies on the order of 0.25-1 meV corresponding to control frequencies in the 60-240GHz range, suitable for operation at 3–12 degrees Kelvin, two orders of magnitude higher than today's qubits. The tuned mm-wave circuits allow for 10-20ps spin control pulses which help to filter out wideband thermal noise and largely enhance the ratio between the gating and the decoherence times. Thermal noise filtering and fast control of the spin may lead to even higher temperature operation for a given energy-level splitting. Ámbito científico engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringelectronic engineeringcomputer hardwarequantum computersnatural scienceschemical sciencesinorganic chemistrymetalloids Palabras clave Silicon and nitride-based electron hole spin qubits multi-gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors control readout circuits fully-depleted silicon-on-insulator CMOS technology Programa(s) H2020-EU.1.2. - EXCELLENT SCIENCE - Future and Emerging Technologies (FET) Main Programme H2020-EU.1.2.1. - FET Open Tema(s) FETOPEN-01-2018-2019-2020 - FET-Open Challenging Current Thinking Convocatoria de propuestas H2020-FETOPEN-2018-2020 Consulte otros proyectos de esta convocatoria Convocatoria de subcontratación H2020-FETOPEN-2018-2019-2020-01 Régimen de financiación RIA - Research and Innovation action Coordinador AKADEMIA GORNICZO-HUTNICZA IM. STANISLAWA STASZICA W KRAKOWIE Aportación neta de la UEn € 386 505,55 Dirección AL ADAMA MICKIEWICZA 30 30-059 Krakow Polonia Ver en el mapa Región Makroregion południowy Małopolskie Miasto Kraków Tipo de actividad Higher or Secondary Education Establishments Enlaces Contactar con la organización Opens in new window Sitio web Opens in new window Participación en los programas de I+D de la UE Opens in new window Red de colaboración de HORIZON Opens in new window Coste total € 386 505,55 Participantes (7) Ordenar alfabéticamente Ordenar por aportación neta de la UE Ampliar todo Contraer todo CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE Italia Aportación neta de la UEn € 400 000,00 Dirección PIAZZALE ALDO MORO 7 00185 Roma Ver en el mapa Región Centro (IT) Lazio Roma Tipo de actividad Research Organisations Enlaces Contactar con la organización Opens in new window Sitio web Opens in new window Participación en los programas de I+D de la UE Opens in new window Red de colaboración de HORIZON Opens in new window Coste total € 400 000,00 THE GOVERNING COUNCIL OF THE UNIVERSITY OF TORONTO Canadá Aportación neta de la UEn € 0,00 Dirección KINGS COLLEGE CIRCLE 27 M5S 1A1 Toronto Ver en el mapa Tipo de actividad Higher or Secondary Education Establishments Enlaces Contactar con la organización Opens in new window Sitio web Opens in new window Participación en los programas de I+D de la UE Opens in new window Red de colaboración de HORIZON Opens in new window Coste total € 468 332,50 IDRYMA TECHNOLOGIAS KAI EREVNAS Grecia Aportación neta de la UEn € 700 000,00 Dirección N PLASTIRA STR 100 70013 Irakleio Ver en el mapa Región Νησιά Αιγαίου Κρήτη Ηράκλειο Tipo de actividad Research Organisations Enlaces Contactar con la organización Opens in new window Sitio web Opens in new window Participación en los programas de I+D de la UE Opens in new window Red de colaboración de HORIZON Opens in new window Coste total € 700 000,00 INSTITUTUL NATIONAL DE CERCETAREDEZVOLTARE PENTRU MICROTEHNOLOGIE Rumanía Aportación neta de la UEn € 498 250,00 Dirección EROU IANCU NICOLAE STREET 32B 077190 Voluntari Ver en el mapa Región Macroregiunea Trei Bucureşti-Ilfov Ilfov Tipo de actividad Research Organisations Enlaces Contactar con la organización Opens in new window Sitio web Opens in new window Participación en los programas de I+D de la UE Opens in new window Red de colaboración de HORIZON Opens in new window Coste total € 498 250,00 MDLAB SRL La participación finalizó Italia Aportación neta de la UEn € 0,00 Dirección VIA SICILIA 31 42122 Reggio Emilia Ver en el mapa Pyme Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención. Sí Región Nord-Est Emilia-Romagna Reggio nell’Emilia Tipo de actividad Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments) Enlaces Contactar con la organización Opens in new window Participación en los programas de I+D de la UE Opens in new window Red de colaboración de HORIZON Opens in new window Coste total Sin datos APPLIED MATERIALS ITALIA SRL Italia Aportación neta de la UEn € 301 500,00 Dirección VIA POSTUMIA OVEST 244 31048 San Bagio Di Callalta Ver en el mapa Región Nord-Est Veneto Treviso Tipo de actividad Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments) Enlaces Contactar con la organización Opens in new window Sitio web Opens in new window Participación en los programas de I+D de la UE Opens in new window Red de colaboración de HORIZON Opens in new window Coste total € 325 500,00 AARHUS UNIVERSITET La participación finalizó Dinamarca Aportación neta de la UEn € 402 119,45 Dirección NORDRE RINGGADE 1 8000 Aarhus C Ver en el mapa Región Danmark Midtjylland Østjylland Tipo de actividad Higher or Secondary Education Establishments Enlaces Contactar con la organización Opens in new window Sitio web Opens in new window Participación en los programas de I+D de la UE Opens in new window Red de colaboración de HORIZON Opens in new window Coste total € 402 119,45
