Descripción del proyecto
Tecnología vanguardista para circuitos integrados en el aprendizaje automático
La ingeniería cuántica de los materiales bidimensionales (2DM, por sus siglas en inglés) puede apoyar la nueva tecnología integrada para el aprendizaje automático y permitir la producción de dispositivos basados en la combinación de heteroestructuras laterales y verticales. El proyecto QUEFORMAL, financiado con fondos europeos, trabajará en el desarrollo de circuitos integrados para el aprendizaje automático en que los transistores de efecto campo de baja potencia y las memorias no volátiles se integran conjuntamente, aprovechando así la ingeniería cuántica de los 2DM. El proyecto demuestra experimentalmente la construcción y el funcionamiento de dispositivos basados en heteroestructuras verticales y laterales de los 2DM para circuitos integrados con lógica en memoria y valida el potencial de esta tecnología en la producción de circuitos integrados para el aprendizaje automático.
Objetivo
We propose the radical vision of a new integrated circuit technology for machine learning where low-voltage field-effect transistors and non-volatile memories are integrated next to each other exploiting quantum engineering of heterostructures of two-dimensional materials (2DMs), i.e. the atom-by-atom design and fabrication of devices which combine vertical and lateral heterostructures (VH and LH, respectively) of 2DMs.
QUEFORMAL pursues a very risky and original proposed solution, with the extremely high potential gain of advancing a science-enabled technology for the fabrication of integrated circuits for machine learning, in a field in which Europe has a strong basic-science leadership, thanks to the pioneering breakthroughs on graphene and 2D materials.
The overall objective and targeted breakthrough of QUEFORMAL is to experimentally demonstrate the fabrication and operation of devices based on LH and VH of 2DMs for logic-in-memory integrated circuits and to show the potential of this technology for the fabrication of integrated circuits for machine learning. Devices include i) lateral heterostructure FETs (LH-FETs) operating at low voltage (0.6 V) fabricated in close vicinity to ii) floating-gate non-volatile memories based on VHs for the gate stack and LHs for the channel (LVH-NVMs), that can be programmed at low voltage (<5 V) with retention time larger than 1 month.
The QUEFORMAL consortium consists of six partners and has unique advantages: Consortium members have proposed and patented the LH-FET concept and have experimentally demonstrated the floating gate non-volatile memory concept using 2D materials.
Ámbito científico
Palabras clave
Programa(s)
Convocatoria de propuestas
Consulte otros proyectos de esta convocatoriaConvocatoria de subcontratación
H2020-FETOPEN-2018-2019-2020-01
Régimen de financiación
RIA - Research and Innovation actionCoordinador
56126 Pisa
Italia