Descripción del proyecto
Un nuevo proceso reduce el precio del posible sucesor del silicio
Los semiconductores son los elementos básicos de la electrónica moderna. Durante decenios, el silicio ha sido una sustancia fiable, pero está llegando a sus límites teóricos de mejora. El nitruro de galio (GaN), utilizado habitualmente en los diodos emisores de luz, está acaparando rápidamente la atención. Tiene una mayor densidad de potencia, puede conducir los electrones de una forma cientos de veces más eficaz que el silicio y es más fiable y resistente a la temperatura. En conjunto, el GaN puede permitir crear dispositivos más pequeños, rápidos y fiables, con una mayor eficiencia, lo que permite reducir el volumen y los costes del ciclo de vida. Para conseguir que el GaN sea accesible para las aplicaciones convencionales, el proyecto financiado con fondos europeos eleGaNt estudiará barreras importantes, a saber: su coste al por mayor y su rendimiento degradado en otros formatos. A fin de superar estos retos, el equipo optimizará su proceso para producir películas finas de GaN de gran calidad sobre cualquier sustrato.
Objetivo
As the world becomes digitalized, the need for more energy efficient, faster and better performing Electronic Components and Systems (ECS) becomes paramount. These ECS are fully dependent on the semiconductor materials within, currently over 90% silicon (Si)-based. Pure Si technology can no longer cater to the needs placed upon ECS for power electronics and RF applications and thus new semiconductor technologies based on gallium nitride (GaN) are being explored. GaN material properties make it the primary choice for future generations of energy-efficient, high performance power electronics devices, necessary to modernize the energy grid and allow for sustainable energy production and use. However, bulk GaN is prohibitively expensive and thus inaccessible to mainstream applications. The main approach to making the technology commercially viable, reducing its cost significantly, is growing GaN layers on other materials, such as Si. Today, this poses a major technical barrier: existing methods result in high defect densities in the GaN layers, offering a fraction of the efficiency of bulk GaN and therefore poor ECS performance. Switching to GaN-on-Si today thus offers very limited advantages. To harness the full potential of GaN in a commercially viable way, we, at Hexagem, have developed EleGaNt, a cutting-edge new method of growing GaN semiconductor layers of unprecedented quality on any substrate. EleGaNt is the first to deliver capabilities on par with bulk GaN at the cost of current market-available underperforming GaN-on-Si. Our patented EleGaNt growth method introduces a new era of semiconductor wafer tech for an energy efficient power and RF electronics market and has the potential to become the new silicon in the multi-billion power electronics industry, whilst also offering a route towards expanding the TAM for GaN tech. We will license our tech to ECS manufacturers for integration into their fabs, whilst we remain a cutting-edge tech development company.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural.
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Programa(s)
Convocatoria de propuestas
Consulte otros proyectos de esta convocatoriaConvocatoria de subcontratación
H2020-SMEInst-2018-2020-1
Régimen de financiación
SME-1 - SME instrument phase 1Coordinador
223 63 Lund
Suecia
Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.