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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Defect Simulation and Material Growth of III-V Nanostructures- European Industrial Doctorate Program

Description du projet

Former des chercheurs sur les semi-conducteurs III-V

La technologie CMOS est le procédé commercial dominant pour la fabrication de circuits intégrés. Développés en 1960, les premiers procédés CMOS utilisaient le métal comme conducteur de grille. Aujourd’hui, les grilles sont fabriquées en polysilicium. On observe également un glissement vers l’hybridation des fonctions avec l’apport de capteurs, de puissance, de mémoire et de fonctions photoniques sur une même puce. Plus précisément, on s’intéresse de plus en plus à l’intégration de matériaux III-V et d’autres semi-conducteurs complexes qui présentent des avantages par rapport au silicium. Le projet DESIGN-EID, financé par l’UE, relèvera ce défi technologique en étudiant l’impact des défauts sur les performances des dispositifs électroniques et photoniques. Il formera trois chercheurs en début de carrière qui travailleront sur des solutions pour combler le fossé entre les simulations prédictives, les matériaux expérimentaux et le développement de dispositifs.

Objectif

In semiconductor technology and applications today, we are increasingly observing a shift from the pure silicon CMOS technology towards hybridisation of function in terms of bringing in sensors, power, memory and photonics functionality on the same chip. In particular, there is a great interest in the heterogeneous and monolithic integration of III-V materials and other complex semiconductors, such as III-Nitrides and SiC on Si substrate. However, the direct growth of III-V materials on silicon inevitably will lead to crystal defects that significantly decreases performance of novel devices.

To overcome this main technological challenge and to make this new technology financially viable, the most cost-effective and time-effective approach is to combine experimental and simulation work, which indeed is the main aim on this project – DESING-EID. This will be achieved by addressing the following objectives.

The first objective of DESIGN-EID is to train three young ESRs who will bridge the gap between predictive simulations, experimental materials and device development by developing simulation tools for prediction of crystal growth as a function of process conditions. Secondly, completely eliminating defects in compound semiconductors is likely not achievable, therefore a simulation framework providing an accurate evaluation of their impact on device performance will be essential for designing devices and materials minimizing their impact. Furthermore, semiconductor defects in semiconductors may be exploited for their unique electronic properties if their presence and properties are controlled. For example, vacancies might be used to implement Qu-bits, whereas extended defects, such as dislocations, can provide unique transport properties. Hence, the last objective of the DESIGN-EID project focuses on experimental control and accurate simulation of the impact of defects on electronic and photonic device performance.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.

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Mots‑clés

Les mots-clés du projet tels qu’indiqués par le coordinateur du projet. À ne pas confondre avec la taxonomie EuroSciVoc (champ scientifique).

Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

MSCA-ITN - Marie Skłodowska-Curie Innovative Training Networks (ITN)

Voir tous les projets financés dans le cadre de ce programme de financement

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-MSCA-ITN-2019

Voir tous les projets financés au titre de cet appel

Coordinateur

UNIVERSITY OF GLASGOW
Contribution nette de l'UE

La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.

€ 336 858,40
Adresse
UNIVERSITY AVENUE
G12 8QQ Glasgow
Royaume-Uni

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Région
Scotland West Central Scotland Glasgow City
Type d’activité
Higher or Secondary Education Establishments
Liens
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

€ 336 858,40

Participants (2)

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