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Defect Simulation and Material Growth of III-V Nanostructures- European Industrial Doctorate Program

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Publications

Machine Learning based Nanowire Classification method based on Nanowire Array Scanning Electron Microscope Images (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Enrico Brugnolotto ,Preslav Aleksandrov ,Marilyne Sousa ,Vihar P. Georgiev
Publié dans: 2023
Éditeur: Tech rxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.24107049.v1

Impact of different types of planar defects on current transport in Indium Phosphide (InP) (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Christian Dam Vedel, Enrico Brugnolotto, Soren Smidstrup, Vihar P. Georgiev
Publié dans: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021, Page(s) 1-5, ISBN 978-1-6654-3745-5
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/eurosoi-ulis53016.2021.9560698

Evaluation of material profiles for III-V nanowire photodetectors (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Cristina Martinez-Oliver, Kirsten E. Moselund, Vihar P. Georgiev
Publié dans: 2021 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2021, Page(s) 39-40, ISBN 978-1-6654-1276-6
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/nusod52207.2021.9541533

Shockley-Read-Hall recombination and trap levels in In 0.53 Ga0.47 As point defects from first principles (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Christian Dam Vedel, Tue Gunst, Søren Smidstrup, and Vihar P. Georgiev
Publié dans: PHYSICAL REVIEW B, 2023, ISSN 2469-9969
Éditeur: PHYSICAL REVIEW B
DOI: 10.1103/physrevb.108.094113

In-plane III-V nanowires on Si (1 1 0) with quantum wells by selective epitaxy in templates (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Brugnolotto, E., Schmid, H., Georgiev, V. and Sousa, M. (2023) In-plane III-V nanowires on Si (1 1 0) with quantum wells by selective epitaxy in templates. Crystal Growth and Design
Publié dans: Enlighten, 2023, ISSN 1528-7483
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.cgd.3c00806

First-principles investigation of polytypic defects in InP (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Christian Dam Vedel; Søren Smidstrup; Vihar P. Georgiev
Publié dans: Crossref, Numéro 10, 2022, ISSN 2045-2322
Éditeur: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41598-022-24239-w

InGaAs microdisk cavities monolithically integrated on Si with room temperature emission at 1530 nm (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Preksha Tiwari; Anna Fischer; Svenja Mauthe; Enrico Brugnolotto; Noelia Vico Triviño; Marilyne Sousa; Daniele Caimi;
Publié dans: IEEE, 2021
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/cleo/europe-eqec52157.2021.9541796

Growth of type I superlattice III-V heterostructure in horizontal nanowires enclosed in a silicon oxide template (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Enrico Brugnolotto a b, Markus Scherrer a, Heinz Schmid a, Vihar Georgiev b, Marilyne Sousa a
Publié dans: ELSEVIER, 2022
Éditeur: Science Direct
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127015

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