Novel Oxides and Topological Interfaces for quantum Computing Electronics

Projektinformationen

NOTICE

ID Finanzhilfevereinbarung: 864483

DOI

10.3030/864483

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 19 Dezember 2019

Startdatum 1 September 2020

Enddatum 28 Februar 2026

Finanziert unter

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Gesamtkosten

€ 2 332 691,00

EU-Beitrag

€ 2 332 691,00

Koordiniert durch

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Belgium

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Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Veröffentlichungen

Other (3)

Stoichiometry and Thickness of Epitaxial SrTiO3 onSilicon (001): an Investigation of Physical, Optical andElectrical Properties

Autoren: Andries Boelen, Marina Baryshnikova, Anja Ulrich, Kamal Brahim, Joris Van de Vondel, Christian Haffner, Clement Merckling
Veröffentlicht in: 2025
Herausgeber: ArXiv

Engineering high Pockels coefficients in thin-film strontium titanate for cryogenic quantum electro-optic applications

Autoren: Anja Ulrich, Kamal Brahim, Andries Boelen, Michiel Debaets, Conglin Sun, Yishu Huang, Sandeep Seema Saseendran, Marina Baryshnikova, Paola Favia, Thomas Nuytten, Stefanie Sergeant, Kasper Van Gasse, Bart Kuyken, Kristiaan De Greve, Clement Merckling, Christian Haffner
Veröffentlicht in: 2025
Herausgeber: ArXiv

Cryogenic piezoelectric effects in thin film strontium titanate devices

Autoren: Ahmed Khalil, Anja Ulrich, Kamal Brahim, Andries Boelen, Danut-Valentin Dinu, Halil Cuma, Ioannis Petrides, Sandeep Seema Saseendran, Xavier Rottenberg, Pol Van Dorpe, Kristiaan De Greve, Oskar Painter, Clement Merckling, Frédéric Peyskens, Christian Haffner
Veröffentlicht in: arXiv, 2026
Herausgeber: arXiv
DOI: 10.48550/arxiv.2602.17152

Peer reviewed articles (11)

Differential evolution optimization of Rutherford backscattering spectra.

Autoren: René Heller, Nico Klingner, Niels Claessens, Clement Merckling, Johan Meersschaut
Veröffentlicht in: Journal Applied Physics, Ausgabe 132 (16), 2023, Seite(n) 165302, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0096497

Impact of Cationic Stoichiometry on Physical, Optical and Electrical Properties of SrTiO3 Thin Films Grown on (001)-Oriented Si Substrates

Autoren: Marina Baryshnikova, Andries Boelen, Luca Ceccon, Vincent Herreman, Sean R. C. McMitchell, Christian Haffner, Clement Merckling
Veröffentlicht in: Materials, Ausgabe 17, 2024, Seite(n) 1714, ISSN 1996-1944
Herausgeber: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma17081714

Epitaxial Growth of BaBiO3 Thin Films on SrTiO3(001) and MgO(001) Substrates Using Molecular Beam Epitaxy: Controlling the Competition Between Crystal Orientations

Autoren: Islam Ahmed, Stefan De Gendt, Clement Merckling
Veröffentlicht in: Crystals, Ausgabe 15, 2025, Seite(n) 534, ISSN 2073-4352
Herausgeber: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/cryst15060534

Stoichiometry and Thickness of Epitaxial SrTiO₃ on Silicon (001): An Investigation of Physical, Optical, and Electrical Properties

Autoren: Andries Boelen, Marina Baryshnikova, Anja Ulrich, Kamal Brahim, Joris Van de Vondel, Christian Haffner, Clement Merckling
Veröffentlicht in: Crystal Growth & Design, Ausgabe 25, 2025, Seite(n) 5752-5760, ISSN 1528-7483
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.cgd.5c00103

Structural transformation for BaBiO3-δ thin films grown on SrTiO3-buffered Si(001) induced by an in-situ molecular beam epitaxy cooldown process

Autoren: Islam Ahmed, Olivier Richard, Partrick Carolan, Marco Gambin, Luca Ceccon, Moloud Kaviani, Stefan De Gendt, Clement Merckling
Veröffentlicht in: Communications Materials, Ausgabe 6, 2025, ISSN 2662-4443
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/s43246-025-00877-1

Self-regulating plasma-assisted growth of epitaxial BaBiO3 thin-film on SrTiO3-buffered Si(001) substrate

Autoren: Islam Ahmed, Stefan De Gendt, Clement Merckling
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 132, 2022, Seite(n) 225304, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0101227

Engineering high Pockels coefficients in thin-film strontium titanate for cryogenic quantum electro-optic applications

Autoren: Anja Ulrich, Kamal Brahim, Andries Boelen, Michiel Debaets, Ahmed Khalil, Conglin Sun, Yishu Huang, Sandeep Seema Saseendran, Marina Baryshnikova, Paola Favia, Thomas Nuytten, Stefanie Sergeant, Kasper Van Gasse, Bart Kuyken, Kristiaan De Greve, Clement Merckling, Christian Haffner
Veröffentlicht in: Science, Ausgabe 390, 2025, Seite(n) 390-393, ISSN 0036-8075
Herausgeber: American Association for the Advancement of Science
DOI: 10.1126/science.adx3741

Evidence for intrinsic magnetic scatterers in the topological semimetal (Bi2)5(Bi2Se3)7

Autoren: Pascal Gehring, Clement Merckling, Ruishen Meng, Valentin Fonck, Bart Raes, Michel Houssa, Joris Van de Vondel, Stefan De Gendt
Veröffentlicht in: APL Materials, Ausgabe 11 (11), 2023, Seite(n) 111116, ISSN 2166-532X
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0167544

Influence of thickness scaling on the electronic structure and optical properties of oxygen deficient BaBiO3-δ thin films grown on SrTiO3-buffered Si(001) substrate

Autoren: I. Ahmed, M. Korytov, S. Sergeant, T. Nuytten, T. Conard, S. De Gendt, C. Merckling
Veröffentlicht in: APL Materials, Ausgabe 12, 2024, ISSN 2166-532X
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0188209

Interfacial control of SrTiO3/Si(001) epitaxy and its effect on physical and optical properties

Autoren: Tsang-Hsuan Wang, Robert Gehlhaar, Thierry Conard, Paola Favia, Jan Genoe, Clement Merckling
Veröffentlicht in: Journal of Crystal Growth, Ausgabe 582 (2022) 126524, 2022, ISSN 1873-5002
Herausgeber: Elsevier
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.126524

Fluorine doping of barium bismuthate by SF6 plasma

Autoren: L. Ceccon, I. Ahmed, M. Kaviani, J. Van de Vondel, G. Pourtois, C. Merckling
Veröffentlicht in: AIP Advances, Ausgabe 15, 2025, ISSN 2158-3226
Herausgeber: American Institute of Physics Inc.
DOI: 10.1063/5.0283535