The first technology enabling large-scale gallium nitride industrialisation for mainstream power electronics and RF applications

Información del proyecto

eleGaNt

Identificador del acuerdo de subvención: 872737

DOI

10.3030/872737

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 23 Julio 2019

Fecha de inicio 1 Octubre 2019

Fecha de finalización 30 Noviembre 2021

Financiado con arreglo a

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs

Coste total

€ 2 920 673,75

Aportación de la UE

€ 2 044 471,63

Coordinado por

HEXAGEM AB
Sweden

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Publicaciones

Peer reviewed articles (4)

Surface and dislocation investigation of planar GaN formed by crystal reformation of nanowire arrays

Autores: Jovana Colvin, Rafal Ciechonski, Filip Lenrick, Olof Hultin, Maryam Khalilian, Anders Mikkelsen, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, Rainer Timm, B. Jonas Ohlsson
Publicado en: Physical Review Materials, Edición 3/9, 2019, ISSN 2475-9953
Editor: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.3.093604

Realization of Ultrahigh Quality InGaN Platelets to be Used as Relaxed Templates for Red Micro-LEDs

Autores: Zhaoxia Bi, Taiping Lu, Jovana Colvin, Elis Sjögren, Neimantas Vainorius, Anders Gustafsson, Jonas Johansson, Rainer Timm, Filip Lenrick, Reine Wallenberg, Bo Monemar, Lars Samuelson
Publicado en: ACS Applied Materials & Interfaces, Edición 12/15, 2020, Página(s) 17845-17851, ISSN 1944-8244
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsami.0c00951

Optimization of GaN Nanowires Reformation Process by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Device‐Quality GaN Templates

Autores: Rosalia Delgado Carrascon, Dat Quoc Tran, Pitsiri Sukkaew, Alyssa Mock, Rafal Ciechonski, Jonas Ohlsson, Yadan Zhu, Olof Hultin, Bo Monemar, Plamen P. Paskov, Lars Samuelson, Vanya Darakchieva
Publicado en: physica status solidi (b), Edición 257/4, 2020, Página(s) 1900581, ISSN 0370-1972
Editor: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/pssb.201900581

Local defect-enhanced anodic oxidation of reformed GaN nanowires

Autores: Jovana Colvin, Rafal Ciechonski, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, B. Jonas Ohlsson, Rainer Timm
Publicado en: Physical Review Materials, Edición 4/7, 2020, ISSN 2475-9953
Editor: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.4.074603

Derechos de propiedad intelectual

Patent (12)

GALLIUM NITRIDE NANOWIRE BASED ELECTRONICS

Número de solicitud/publicación: 13 749940
Fecha: 2013-02-12
Solicitante(s): HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Número de solicitud/publicación: 20 17075298
Fecha: 2017-10-05
Solicitante(s): HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Número de solicitud/publicación: 20 17057893
Fecha: 2017-04-03
Solicitante(s): HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Número de solicitud/publicación: 17 783803
Fecha: 2017-10-05
Solicitante(s): HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLANAR III-N SEMICONDUCTOR LAYER AND FABRICATION METHOD

Número de solicitud/publicación: 20 18077233
Fecha: 2018-10-05
Solicitante(s): HEXAGEM AB

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Número de solicitud/publicación: 17 705366
Fecha: 2017-02-13
Solicitante(s): HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Número de solicitud/publicación: 17 715459
Fecha: 2017-04-03
Solicitante(s): HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLANAR III-N SEMICONDUCTOR LAYER AND FABRICATION METHOD

Número de solicitud/publicación: 18 779414
Fecha: 2018-10-05
Solicitante(s): HEXAGEM AB

OCCLUSION DEVICE DETACHABLE BY INFLATION OF A BALLOON

Número de solicitud/publicación: 15 704680
Fecha: 2015-02-05
Solicitante(s): HEXAGEM AB

INTERIOR TRIM COMPONENT AND METHOD OF FORMING SAME

Número de solicitud/publicación: 02 784357
Fecha: 2002-10-31
Solicitante(s): HEXAGEM AB

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Número de solicitud/publicación: 20 17053187
Fecha: 2017-02-13
Solicitante(s): HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND FABRICATION METHOD

Número de solicitud/publicación: 20 20057451
Fecha: 2020-03-18
Solicitante(s): HEXAGEM AB