Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

The first technology enabling large-scale gallium nitride industrialisation for mainstream power electronics and RF applications

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Surface and dislocation investigation of planar GaN formed by crystal reformation of nanowire arrays (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jovana Colvin, Rafal Ciechonski, Filip Lenrick, Olof Hultin, Maryam Khalilian, Anders Mikkelsen, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, Rainer Timm, B. Jonas Ohlsson
Opublikowane w: Physical Review Materials, Numer 3/9, 2019, ISSN 2475-9953
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.3.093604

Realization of Ultrahigh Quality InGaN Platelets to be Used as Relaxed Templates for Red Micro-LEDs (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Zhaoxia Bi, Taiping Lu, Jovana Colvin, Elis Sjögren, Neimantas Vainorius, Anders Gustafsson, Jonas Johansson, Rainer Timm, Filip Lenrick, Reine Wallenberg, Bo Monemar, Lars Samuelson
Opublikowane w: ACS Applied Materials & Interfaces, Numer 12/15, 2020, Strona(/y) 17845-17851, ISSN 1944-8244
Wydawca: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsami.0c00951

Optimization of GaN Nanowires Reformation Process by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Device‐Quality GaN Templates (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Rosalia Delgado Carrascon, Dat Quoc Tran, Pitsiri Sukkaew, Alyssa Mock, Rafal Ciechonski, Jonas Ohlsson, Yadan Zhu, Olof Hultin, Bo Monemar, Plamen P. Paskov, Lars Samuelson, Vanya Darakchieva
Opublikowane w: physica status solidi (b), Numer 257/4, 2020, Strona(/y) 1900581, ISSN 0370-1972
Wydawca: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/pssb.201900581

Local defect-enhanced anodic oxidation of reformed GaN nanowires (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jovana Colvin, Rafal Ciechonski, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, B. Jonas Ohlsson, Rainer Timm
Opublikowane w: Physical Review Materials, Numer 4/7, 2020, ISSN 2475-9953
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.4.074603

Prawa własności intelektualnej

GALLIUM NITRIDE NANOWIRE BASED ELECTRONICS

Numer wniosku/publikacji: 13 749940
Data: 2013-02-12
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Numer wniosku/publikacji: 20 17075298
Data: 2017-10-05
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Numer wniosku/publikacji: 20 17057893
Data: 2017-04-03
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Numer wniosku/publikacji: 17 783803
Data: 2017-10-05
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLANAR III-N SEMICONDUCTOR LAYER AND FABRICATION METHOD

Numer wniosku/publikacji: 20 18077233
Data: 2018-10-05
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Numer wniosku/publikacji: 17 705366
Data: 2017-02-13
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Numer wniosku/publikacji: 17 715459
Data: 2017-04-03
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLANAR III-N SEMICONDUCTOR LAYER AND FABRICATION METHOD

Numer wniosku/publikacji: 18 779414
Data: 2018-10-05
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

OCCLUSION DEVICE DETACHABLE BY INFLATION OF A BALLOON

Numer wniosku/publikacji: 15 704680
Data: 2015-02-05
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

INTERIOR TRIM COMPONENT AND METHOD OF FORMING SAME

Numer wniosku/publikacji: 02 784357
Data: 2002-10-31
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Numer wniosku/publikacji: 20 17053187
Data: 2017-02-13
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND FABRICATION METHOD

Numer wniosku/publikacji: 20 20057451
Data: 2020-03-18
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HEXAGEM AB

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników

Moja broszura 0 0