The first technology enabling large-scale gallium nitride industrialisation for mainstream power electronics and RF applications

Informazioni relative al progetto

eleGaNt

ID dell’accordo di sovvenzione: 872737

DOI

10.3030/872737

Progetto chiuso

Data della firma CE 23 Luglio 2019

Data di avvio 1 Ottobre 2019

Data di completamento 30 Novembre 2021

Finanziato da

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs

Costo totale

€ 2 920 673,75

Contributo UE

€ 2 044 471,63

Coordinato da

HEXAGEM AB
Sweden

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (4)

Surface and dislocation investigation of planar GaN formed by crystal reformation of nanowire arrays

Autori: Jovana Colvin, Rafal Ciechonski, Filip Lenrick, Olof Hultin, Maryam Khalilian, Anders Mikkelsen, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, Rainer Timm, B. Jonas Ohlsson
Pubblicato in: Physical Review Materials, Numero 3/9, 2019, ISSN 2475-9953
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.3.093604

Realization of Ultrahigh Quality InGaN Platelets to be Used as Relaxed Templates for Red Micro-LEDs

Autori: Zhaoxia Bi, Taiping Lu, Jovana Colvin, Elis Sjögren, Neimantas Vainorius, Anders Gustafsson, Jonas Johansson, Rainer Timm, Filip Lenrick, Reine Wallenberg, Bo Monemar, Lars Samuelson
Pubblicato in: ACS Applied Materials & Interfaces, Numero 12/15, 2020, Pagina/e 17845-17851, ISSN 1944-8244
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsami.0c00951

Optimization of GaN Nanowires Reformation Process by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Device‐Quality GaN Templates

Autori: Rosalia Delgado Carrascon, Dat Quoc Tran, Pitsiri Sukkaew, Alyssa Mock, Rafal Ciechonski, Jonas Ohlsson, Yadan Zhu, Olof Hultin, Bo Monemar, Plamen P. Paskov, Lars Samuelson, Vanya Darakchieva
Pubblicato in: physica status solidi (b), Numero 257/4, 2020, Pagina/e 1900581, ISSN 0370-1972
Editore: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/pssb.201900581

Local defect-enhanced anodic oxidation of reformed GaN nanowires

Autori: Jovana Colvin, Rafal Ciechonski, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, B. Jonas Ohlsson, Rainer Timm
Pubblicato in: Physical Review Materials, Numero 4/7, 2020, ISSN 2475-9953
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.4.074603

Diritti di proprietà intellettuale

Patent (12)

GALLIUM NITRIDE NANOWIRE BASED ELECTRONICS

Numero candidatura/pubblicazione: 13 749940
Data: 2013-02-12
Candidato/i: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Numero candidatura/pubblicazione: 20 17075298
Data: 2017-10-05
Candidato/i: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Numero candidatura/pubblicazione: 20 17057893
Data: 2017-04-03
Candidato/i: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Numero candidatura/pubblicazione: 17 783803
Data: 2017-10-05
Candidato/i: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLANAR III-N SEMICONDUCTOR LAYER AND FABRICATION METHOD

Numero candidatura/pubblicazione: 20 18077233
Data: 2018-10-05
Candidato/i: HEXAGEM AB

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Numero candidatura/pubblicazione: 17 705366
Data: 2017-02-13
Candidato/i: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Numero candidatura/pubblicazione: 17 715459
Data: 2017-04-03
Candidato/i: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLANAR III-N SEMICONDUCTOR LAYER AND FABRICATION METHOD

Numero candidatura/pubblicazione: 18 779414
Data: 2018-10-05
Candidato/i: HEXAGEM AB

OCCLUSION DEVICE DETACHABLE BY INFLATION OF A BALLOON

Numero candidatura/pubblicazione: 15 704680
Data: 2015-02-05
Candidato/i: HEXAGEM AB

INTERIOR TRIM COMPONENT AND METHOD OF FORMING SAME

Numero candidatura/pubblicazione: 02 784357
Data: 2002-10-31
Candidato/i: HEXAGEM AB

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Numero candidatura/pubblicazione: 20 17053187
Data: 2017-02-13
Candidato/i: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND FABRICATION METHOD

Numero candidatura/pubblicazione: 20 20057451
Data: 2020-03-18
Candidato/i: HEXAGEM AB