The first technology enabling large-scale gallium nitride industrialisation for mainstream power electronics and RF applications

Projektinformationen

eleGaNt

ID Finanzhilfevereinbarung: 872737

DOI

10.3030/872737

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 23 Juli 2019

Startdatum 1 Oktober 2019

Enddatum 30 November 2021

Finanziert unter

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs

Gesamtkosten

€ 2 920 673,75

EU-Beitrag

€ 2 044 471,63

Koordiniert durch

HEXAGEM AB
Sweden

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Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (4)

Surface and dislocation investigation of planar GaN formed by crystal reformation of nanowire arrays

Autoren: Jovana Colvin, Rafal Ciechonski, Filip Lenrick, Olof Hultin, Maryam Khalilian, Anders Mikkelsen, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, Rainer Timm, B. Jonas Ohlsson
Veröffentlicht in: Physical Review Materials, Ausgabe 3/9, 2019, ISSN 2475-9953
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.3.093604

Realization of Ultrahigh Quality InGaN Platelets to be Used as Relaxed Templates for Red Micro-LEDs

Autoren: Zhaoxia Bi, Taiping Lu, Jovana Colvin, Elis Sjögren, Neimantas Vainorius, Anders Gustafsson, Jonas Johansson, Rainer Timm, Filip Lenrick, Reine Wallenberg, Bo Monemar, Lars Samuelson
Veröffentlicht in: ACS Applied Materials & Interfaces, Ausgabe 12/15, 2020, Seite(n) 17845-17851, ISSN 1944-8244
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsami.0c00951

Optimization of GaN Nanowires Reformation Process by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Device‐Quality GaN Templates

Autoren: Rosalia Delgado Carrascon, Dat Quoc Tran, Pitsiri Sukkaew, Alyssa Mock, Rafal Ciechonski, Jonas Ohlsson, Yadan Zhu, Olof Hultin, Bo Monemar, Plamen P. Paskov, Lars Samuelson, Vanya Darakchieva
Veröffentlicht in: physica status solidi (b), Ausgabe 257/4, 2020, Seite(n) 1900581, ISSN 0370-1972
Herausgeber: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/pssb.201900581

Local defect-enhanced anodic oxidation of reformed GaN nanowires

Autoren: Jovana Colvin, Rafal Ciechonski, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, B. Jonas Ohlsson, Rainer Timm
Veröffentlicht in: Physical Review Materials, Ausgabe 4/7, 2020, ISSN 2475-9953
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.4.074603

Rechte des geistigen Eigentums

Patent (12)

GALLIUM NITRIDE NANOWIRE BASED ELECTRONICS

Antrags-/Publikationsnummer: 13 749940
Datum: 2013-02-12
Antragsteller: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Antrags-/Publikationsnummer: 20 17075298
Datum: 2017-10-05
Antragsteller: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Antrags-/Publikationsnummer: 20 17057893
Datum: 2017-04-03
Antragsteller: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Antrags-/Publikationsnummer: 17 783803
Datum: 2017-10-05
Antragsteller: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLANAR III-N SEMICONDUCTOR LAYER AND FABRICATION METHOD

Antrags-/Publikationsnummer: 20 18077233
Datum: 2018-10-05
Antragsteller: HEXAGEM AB

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Antrags-/Publikationsnummer: 17 705366
Datum: 2017-02-13
Antragsteller: HEXAGEM AB

FORMING A PLANAR SURFACE OF A III-NITRIDE MATERIAL

Antrags-/Publikationsnummer: 17 715459
Datum: 2017-04-03
Antragsteller: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLANAR III-N SEMICONDUCTOR LAYER AND FABRICATION METHOD

Antrags-/Publikationsnummer: 18 779414
Datum: 2018-10-05
Antragsteller: HEXAGEM AB

OCCLUSION DEVICE DETACHABLE BY INFLATION OF A BALLOON

Antrags-/Publikationsnummer: 15 704680
Datum: 2015-02-05
Antragsteller: HEXAGEM AB

INTERIOR TRIM COMPONENT AND METHOD OF FORMING SAME

Antrags-/Publikationsnummer: 02 784357
Datum: 2002-10-31
Antragsteller: HEXAGEM AB

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Antrags-/Publikationsnummer: 20 17053187
Datum: 2017-02-13
Antragsteller: HEXAGEM AB

SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND FABRICATION METHOD

Antrags-/Publikationsnummer: 20 20057451
Datum: 2020-03-18
Antragsteller: HEXAGEM AB