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Synthesis and integration of wafer-scale van der Waals heterostructures for industrial nanoelectronic devices

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Extreme scaling enabled by TMD transistors: variability challenges

Auteurs: Q. Smets, G. Arutchelvan, T. Schram, D. Verreck, B. Groven, D. Cott, Z. Ahmed, Y. Shi, S. Sutar, A. Nalin Mehta, D. Lin, I. Asselberghs, I. Radu
Publié dans: IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2021, ISSN 2169-3536
Éditeur: IEEE

Dual gate synthetic MoS2 MOSFETs with 4.56µF/cm2 channel capacitance, 320µS/µm Gm and 420 µA/µm Id at 1V Vd/100nm Lg (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: X. Wu, D. Cott, Z. Lin, Y. Shi, B. Groven, P. Morin, D. Verreck, Q. Smets, H. Medina, S. Sutar, I. Asselberghs, I. Radu, D. Lin
Publié dans: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2021, ISSN 2169-3536
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/iedm19574.2021.9720695

Sources of variability in scaled MoS2 FETs (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Q. Smets, D. Verreck, Y. Shi, G. Arutchelvan, B. Groven, X. Wu, S. Sutar, S. Banerjee, A. N. Mehta, D. Lin, I. Asselberghs, I. Radu
Publié dans: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2020, ISSN 2169-3536
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/iedm13553.2020.9371890

Superior electrostatic control in uniform monolayer MoS2 scaled transistors via in-situ surface smoothening (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Y. Shi, B. Groven, Q. Smets, S. Sutar, S. Banerjee, H. Medina, X. Wu, C. Huyghebaert, S. Brems, D. Lin, P. Morin, M. Caymax, I. Asselberghs, I. Radu
Publié dans: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2021, ISSN 2169-3536
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/iedm19574.2021.9720676

Engineering wafer-scale epitaxial two-dimensional materials through sapphire template screening for advanced high-performance nanoelectronics (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Y. Shi, B. Groven, J. Serron, X. Wu, A. N. Mehta, A. Minj, S. Sergeant, H. Han, I. Asselberghs, D. Lin, S. Brems, C. Huyghebaert, P. Morin, I. Radu, M. Caymax
Publié dans: ACS Nano, 2021, Page(s)  9482–9494, ISSN 1936-0851
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsnano.0c07761

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