Descripción del proyecto
Deposición de área selectiva para crear nanopatrones avanzados
Los nanopatrones constituyen la base de la tecnología de semiconductores actual y futura. Consiguen una reducción de la escala de los dispositivos hasta un nodo de menos de 7 nm, así como una mayor velocidad, densidad de transistor y rendimiento informático. Sin embargo, la creación de nanopatrones de estas dimensiones entraña muchas dificultades, como fotorresistencias de litografía ultravioleta extrema, costes de procesamiento y rendimiento, huella medioambiental, una gran complejidad y errores de recubrimiento. Por tanto, se precisan soluciones innovadoras. El proyecto financiado con fondos europeos ADMAIR tiene como objetivo superar los considerables desafíos relacionados con los materiales y procesos en el ultravioleta extremo a una escala inferior a los 10 nm. Para ello, empleará un método de patrones ascendentes conocido como deposición de área selectiva. Este trabajo fomentará avances en la creación de patrones.
Objetivo
Nanopatterning is the core of today’s and future semiconductor technology as it drives the downscaling of the devices below the 7 nm node, enabling higher speed, density of transistors and computing performance. In addition, nanofabricated three-dimensional patterned structures are used in devices for photonics, biotechnology and other forms of nanotechnology.[1]Beyond the 10nm node, extreme ultraviolet lithography (EUVL) with a light source of 13.5 nm, will be applied.[2],[3] Associated with nano-patterning at these dimensions, there is a long list of challenges: i) EUVL photoresists (PR) and mask infrastructure and control of the created nanoscale patterns; ii) throughput and process cost; iii) environmental footprint as it is based on litho-etch subtractive processes; iv) high complexity thus decreasing fabrication reliability; v) overlay errors and defectivity. Therefore, innovative solutions are required. Area selective deposition (ASD) offers the potential to relax downstream processing steps by enabling self-aligned processes and bottom-up lithography.
The main goal of this MSCA proposal Area-selective Deposition-enabled ultiMAte extensIon of lithogRaphy (ADMAIR) is to overcome the potentially show-stopping challenges associated with EUV materials and processes at the sub-10nm scale by an additive bottom-up concept. This will be enabled by interdisciplinary joint development projects involving material suppliers and lithography stakeholders, which is a unique advantage of IMEC and will complement the expertise of the candidate in material science and characterization. Ultimately, valuable professional development opportunities for the MSCA candidate and know-how for the host will be achieved.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ingeniería y tecnología nanotecnología
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica dispositivo semiconductor
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
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H2020-EU.1.3. - EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions
PROGRAMA PRINCIPAL
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H2020-EU.1.3.2. - Nurturing excellence by means of cross-border and cross-sector mobility
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Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)
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Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
(se abrirá en una nueva ventana) H2020-MSCA-IF-2019
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Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.
3001 Leuven
Bélgica
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.