Descrizione del progetto
Deposizione selettiva di area per nanostrutturazione avanzata
La nanostrutturazione pone le basi dell’attuale e futura tecnologia dei semiconduttori. È in grado di ridimensionare i dispositivi al di sotto del nodo a 7 nm, comportando maggiori velocità, densità di transistor e prestazioni di calcolo. Tuttavia, la nanostrutturazione a questi livelli implica molte sfide, tra cui i fotoresist per la litografia ultravioletta estrema, i costi di lavorazione e di processo, l’impatto ambientale, l’elevata complessità e gli errori di sovrapposizione. Sono pertanto necessarie soluzioni innovative. Il progetto ADMAIR, finanziato dall’UE, punta a superare le notevoli sfide correlate ai materiali e i processi ultravioletti estremi per dimensioni inferiori ai 10 nm. A tal fine, si avvarrà del metodo di strutturazione dal basso verso l’alto noto come deposizione selettiva di area, nell’ottica di promuovere lo sviluppo nel campo della nanostrutturazione.
Obiettivo
Nanopatterning is the core of today’s and future semiconductor technology as it drives the downscaling of the devices below the 7 nm node, enabling higher speed, density of transistors and computing performance. In addition, nanofabricated three-dimensional patterned structures are used in devices for photonics, biotechnology and other forms of nanotechnology.[1]Beyond the 10nm node, extreme ultraviolet lithography (EUVL) with a light source of 13.5 nm, will be applied.[2],[3] Associated with nano-patterning at these dimensions, there is a long list of challenges: i) EUVL photoresists (PR) and mask infrastructure and control of the created nanoscale patterns; ii) throughput and process cost; iii) environmental footprint as it is based on litho-etch subtractive processes; iv) high complexity thus decreasing fabrication reliability; v) overlay errors and defectivity. Therefore, innovative solutions are required. Area selective deposition (ASD) offers the potential to relax downstream processing steps by enabling self-aligned processes and bottom-up lithography.
The main goal of this MSCA proposal Area-selective Deposition-enabled ultiMAte extensIon of lithogRaphy (ADMAIR) is to overcome the potentially show-stopping challenges associated with EUV materials and processes at the sub-10nm scale by an additive bottom-up concept. This will be enabled by interdisciplinary joint development projects involving material suppliers and lithography stakeholders, which is a unique advantage of IMEC and will complement the expertise of the candidate in material science and characterization. Ultimately, valuable professional development opportunities for the MSCA candidate and know-how for the host will be achieved.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
- ingegneria e tecnologiananotecnologia
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Programma(i)
Argomento(i)
Invito a presentare proposte
(si apre in una nuova finestra) H2020-MSCA-IF-2019
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MSCA-IF -Coordinatore
3001 Leuven
Belgio