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Photodiode integration on silicon nitride

Descrizione del progetto

I circuiti fotonici integrati al nitruro di silicio espandono il campo di applicazione della fotonica al silicio

L’integrazione monolitica è una tecnica che permette di integrare sia l’elettronica che i dispositivi ottici in un materiale semiconduttore comune attraverso un unico processo di crescita. Il progetto POTION, finanziato dall’UE, prevede di realizzare l’integrazione monolitica dei fotorilevatori a semiconduttore su un circuito fotonico integrato passivo al nitruro di silicio. Il nitruro di silicio combina una bassa perdita di propagazione (10 volte migliore del silicio) e un’ampia finestra di trasparenza; tuttavia, la mancanza di elementi attivi per il rilevamento dei fotoni ne limita l’uso diffuso. Il progetto prevede quindi di combinare una piattaforma a bassa perdita di nitruro di silicio con nuovi materiali attivi e di sviluppare anche un processo di fabbricazione che permetta l’«accoppiamento evanescente» del nitruro di silicio con altri materiali.

Obiettivo

In this project the fellow, Gabriele Navickaite, will conceive and realize monolithic integration of semiconductor photodetectors on top of a passive Silicon Nitride (SiN) Photonic Integrated Circuit (PIC).
This project will show for the first time the monolithic combination of the SiN passive platform with an active semiconductive element and thus constitutes an important step towards further integration. It clearly fills a market gap in the growing integrated photonics business.

Whereas the SiN platform has obtained significant attention in the past years, because of its low loss (10 times better than silicon) and large transparency window, the application space is limited by the absence of active elements on the PIC platform. A research and business breakthrough would be the combination of the low loss SiN platform with an active material for photon detection. LIGENTEC has already gained market insights that the additional integrated functionality is desired by the end-customer and will be still affordable due to wafer scale processing. In addition to passive SiN component (see an array waveguide grating chip in Figure 1) LIGENTEC has developed fabrication processes that enable evanescent coupling of SiN to other materials.

The applicant seeks to build on this development and integrate evanescently coupled photodetectors. The fellow Gabriele Navickaite together with the host company LIGENTEC proposes to reach the following objectives in the time frame of 24 months for the first time:
● Demonstration of integrated photodiodes on SiN photonic platform
● Demonstration of a packaged SiN PIC for wavelength splitting at VIS wavelengths and detecting (DEMO)
This 24-month project foresees to design and simulate the integrated photodiode, develop the material and finally fabricate and test a prototype.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

Parole chiave

Programma(i)

Argomento(i)

Meccanismo di finanziamento

MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

(si apre in una nuova finestra) H2020-MSCA-IF-2019

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

LIGENTEC SA
Contributo netto dell'UE
€ 191 149,44
Indirizzo
CHEMIN DE LA DENT D OCHE 1B EPFL INNOVATION PARK BATIMENT L
1024 Ecublens
Svizzera
PMI
Sì
Regione
Schweiz/Suisse/Svizzera Région lémanique Vaud
Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale
€ 191 149,44