From the bottom-up: a physico-chemical approach towards 3D nanostructures with atomic-scale control

Informazioni relative al progetto

BottomUp3D

ID dell’accordo di sovvenzione: 949202

DOI

10.3030/949202

Data della firma CE 10 Agosto 2020

Data di avvio 1 Gennaio 2021

Data di completamento 31 Dicembre 2025

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Costo totale

€ 1 895 897,00

Contributo UE

€ 1 895 897,00

Coordinato da

TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN
Netherlands

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Pubblicazioni

Peer reviewed articles (6)

Area-Selective Atomic Layer Deposition through Selective Passivation of SiO₂ with a SF₆/H₂ Plasma

Autori: Olaf C. A. Bolkenbaas, Marc J. M. Merkx, Nicholas J. Chittock, Ilker Tezsevin, Wilhelmus M. M. Kessels, Tania E. Sandoval, Adriaan J. M. Mackus
Pubblicato in: Chemistry of Materials, Numero 37, 2025, Pagina/e 4982-4991, ISSN 0897-4756
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.chemmater.4c03316

The Consequences of Random Sequential Adsorption for the Precursor Packing and Growth-Per-Cycle of Atomic Layer Deposition Processes

Autori: I. Tezsevin, J. H. Deijkers, M. J. M. Merkx, W. M. M. Kessels, T. E. Sandoval, A. J. M. Mackus
Pubblicato in: The Journal of Physical Chemistry Letters, Numero 15, 2024, Pagina/e 7496-7501, ISSN 1948-7185
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.jpclett.4c01632

Investigation of the atomic layer etching mechanism for Al₂O₃ using hexafluoroacetylacetone and H₂ plasma

Autori: Nicholas J. Chittock, Joost F. W. Maas, Ilker Tezsevin, Marc J. M. Merkx, Harm C. M. Knoops, Wilhelmus M. M. (Erwin) Kessels, Adriaan J. M. Mackus
Pubblicato in: Journal of Materials Chemistry C, Numero 13, 2025, Pagina/e 1345-1358, ISSN 2050-7534
Editore: Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/d4tc03615h

Relation between Reactive Surface Sites and Precursor Choice for Area-Selective Atomic Layer Deposition Using Small Molecule Inhibitors

Autori: Marc J. M. Merkx; Athanasios Angelidis; Alfredo Mameli; Jun Li; Paul C. Lemaire; Kashish Sharma; Dennis M. Hausmann; Wilhelmus M. M. Kessels; Tania E. Sandoval; Adriaan J. M. Mackus
Pubblicato in: Journal of Physical Chemistry C, 126(10), 4845 - 4853. American Chemical Society, Numero 1, 2022, ISSN 1932-7447
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c10816

Packing of inhibitor molecules during area-selective atomic layer deposition studied using random sequential adsorption simulations

Autori: J. Li, I. Tezsevin, M.J.M. Merkx, J.F.W. Maas, W.M.M. Kessels, T.E. Sandoval, A.J.M. Mackus
Pubblicato in: Journal of Vacuum Science & Technology A, Numero 40, 2022, Pagina/e 062409, ISSN 1520-8559
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1116/6.0002096

Computational Investigation of Precursor Blocking during Area-Selective Atomic Layer Deposition Using Aniline as a Small-Molecule Inhibitor

Autori: I. Tezsevin; J. F. W. Maas; M. J. M. Merkx; R. Lengers; W. M. M. Kessels; T. E. Sandoval; A. J. M. Mackus
Pubblicato in: Langmuir, Numero 39, 2023, Pagina/e 4265-4273, ISSN 1520-5827
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.langmuir.2c03214