Obiettivo
The optimum precursors combination for the growth of ZnSe, ZnSSe and ZnMgSSe has been identified as Me2Zn(NEt3), t-Bu2Se, t-Bu2S and (MeCp)2Mg. By the use of a nitrogen plasmas, or the nitrogen-containing precursors Zn[N(SiMe3)2]2 and EtZnN(SiMe3)2, nitrogen has successfully been incorporated into ZnSe at the level of approx. 1E17 am{-3}. However, the layers did not show p-type conductivity due to compensation of the nitrogen by n-type impurities (chloride) or passivation by hydrogen. Lattice-matched ZnMgSSe was successfully grown as GaAs and quantum-size effects were observed. Optical and electron beam pumped blue green lasers at room temperature were also demonstrated.
Semiconductors based on II-VI materials are of special interest in the field of optoelectronics : their very large bandgaps span the electromagnetic spectrum from the red to the blue, allowing great flexibility.
ZnSe/GaAs heterostructures and multiple-quantum wells(MQW)based on ZnSSe/ZnSe are particularly suited for use in devices operating in the blue region of the visible spectrum. Thus, they are excellent candidates for fabricating blue-emitting lasers and LEDs for applications in high-density optical memories, display devices, medical diagnostics, and communications through salt-water and ice.
Serious problems hinder the production of these devices: it has been almost impossible to control the type of conductivity exhibited by II-VI semiconductors. For example, ZnSe can be grown to exhibit n-type conductivity but not p-type; this is a serious drawback, as one needs both conductivity types to construct p.n.-diodes and electrically driven laser diodes.
The consortium will study the mechanisms of ZnSe growth by MOVPE: fundamental understanding of the physical principles controlling the properties of MOVPE-grown material will be acquired. Also, systematic research towards obtaining device quality p-and n-type material will be conducted. This achievement will be a significant advance beyond the state-of-the art, as, thus far, only expensive, non production-oriented MBE technologies have been successfully employed for ZnSe based device fabrication.
The quality of the grown material will be assessed by novel optical and electrical methods. Appropriate precursors for layer growth at low temperatures and for p-type doping, which are currently unavailable, will be researched and synthesised.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
L62 3QF Wirral
Regno Unito
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.