Objectif
Epichem have been successful in identifying the optimum precursors for MOVPE of SiC layers and establish production methods capable of yielding ultra high purity batches of these materials. Furthermore analytical sensitivities for key impurities have been improved. Supply of source material to growth teams has been maintained throughout the project.
Data on the resistivity and piezoresisitive effect of high quality SiCOIN films has been successfully collected. Extensive characterization of SiCOIN films by HALL measurements was done. Two sensor concepts were developed: a high-pressure sensor (up to P = 2000 bar) for oil well logging applications and a low-pressure sensor (up to P = 12 bar) for turbine control or avionics applications. Both concepts were optimised by FE analyses. Sensors of both types were successfully fabricated and special 3C-SiC deposition techniques (selective deposition, deposition on structured substrates) were developed.
In the proposed project a material system consisting of a
single crystalline B SiC layer deposited by CVD on an SOI
(Silicon On Insulator) substrate will be developed for
the fabrication of various high temperature sensor
devices. For the deposition and doping of the SiC layers
special low temperature (T<1000 C) precursors will be
developed, to obtain the lowest possible deposition
temperatures. The advantage of the SiC on SOI system is
that the SiC layer is electrically insulated from the Si
substrate by a thin oxide layer since the thin Si
overlayer of the SOI substrates converts during a
carbonization step into single crystalline SiC. However,
the bulk micromachining capabilities of the Si substrate,
necessary for the fabrication of sensor devices, will
remain unchanged.
To determine the quality of the layers and to optimize
the process extensive analysis (e.g. XRD, TEM, AFM, and
optical and electrical characterization) will be
performed. To demonstrate the applicability of this
material system (SiC On INsulatoroSiCOIN) for sensors, a
number of sensors such as pressure, vibration and
position sensors will be developed that will be tested by
the industrial partners under real industrial conditions
such as in automotive or oil well logging applications.
The processes necessary for the technological realization
of the sensors (CVD of in situ doped, B SiC layers on
pure Si substrates, oxidation, dry etching, ion
implantation and metallization) have been developed
within the former BRITE/EURAM basic research programme
TECSICA (Technology and Characterisation of Silicon
Carbide films for high temperature Applications).
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique composé inorganique
- sciences naturelles sciences chimiques électrochimie électrolyse
- ingénierie et technologie génie électrique, génie électronique, génie de l’information ingénierie électronique capteurs
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
81663 München
Allemagne
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.