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Contenuto archiviato il 2024-06-10

Inas/algasb heterostructures for high speed electronic devices

Obiettivo



InAs/AlGaSb heterostructures have favourable properties for high speed devices with low power consumption which promise to provide superior performance compared to devices based on other material systems. Already field effect transistors and other electronic devices using InAs/AlGaSb heterostructures have been realised and it has been demonstrated that the relevant device parameters for high speed applications reflect the excellent intrinsic properties of this semiconductor. However, field effect transistors realised so far do still not make use of all advantages of InAs/AlGaSb. The reason can be seen in the insufficiently developed technology of fabrication and processing of devices with this new material system.
The specific project is to fabricate and study field effect transistors that make use of the latest developments in material research on InAs/AlGaSb, thereby bridging the areas of fundamental physics and device applications.
Following on the demonstration of state-of-the-art mobility in this material system in our group heterostructures that show the combination of highest mobility and carrier concentration are processed using photo- and electron beam lithography. The fabricated devices are examined with electrical and spectroscopic characterisation techniques. The experimental work is completed with modelling and simulation of the devices. The correlation between fabrication techniques and device performance is studied in order to find conditions for an optimal exploitation of the properties of InAs/AlGaSb for high speed field effect transistors with low power consumption.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

Dati non disponibili

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

RGI - Research grants (individual fellowships)

Coordinatore

Imperial College of Science, Technology and Medicine
Contributo UE
Nessun dato
Indirizzo
Blackett Laboratory Prince Consort Road
SW7 2BZ London
Regno Unito

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Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (1)

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